1406083
Beschreibung
Mindmap von Carlos Seb Ma Ro, aktualisiert more than 1 year ago
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Erstellt von Carlos Seb Ma Ro
vor etwa 10 Jahre
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Memorias ROM
- Antecedentes
- Read Only Memory
- "Memoria de sólo lectura"
- "Memoria de sólo lectura"
- Diseñada para retener datos de manera permanente
- Sus características varían dependiendo del tipo de ROM
- Sus características varían dependiendo del tipo de ROM
- Read Only Memory
- Arquitectura
- Diagrama simplificado
- Decodificadores de dirección
- El código de dirección alimenta dos decodificadores
- A1 y A0
- Decodificador 1 a 4
- Selección de fila
- Selección de fila
- Decodificador 1 a 4
- A2 y A3
- Decodificador 1 a 4
- Selección de columna
- Selección de columna
- Decodificador 1 a 4
- A1 y A0
- El código de dirección alimenta dos decodificadores
- Arreglo de registros
- Almacena los datos programados en la ROM
- Cada registro, una palabra de ocho bits
- Cada registro, una palabra de ocho bits
- Ubicación de cada registro especificada por una fila y una columna
- Almacena los datos programados en la ROM
- Búferes de salida
- El registro habilitado coloca sus datos en el bus de datos
- Del bus de datos pasan a los búferes
- CS' ALTO
- Salidas flotando
- Salidas flotando
- CS'BAJO
- Se permite el paso de datos
- Se permite el paso de datos
- CS' ALTO
- Del bus de datos pasan a los búferes
- El registro habilitado coloca sus datos en el bus de datos
- Decodificadores de dirección
- Diagrama simplificado
- Operación de lectura
- Entradas de dirección
- Se selecciona la ubicación que desea leerse (0011, por ejemplo)
- Se selecciona la ubicación que desea leerse (0011, por ejemplo)
- Entradas de control
- CS'
- Nivel BAJO para activar operación de lectura
- Nivel ALTO para deshabilitar las salidas
- Nivel BAJO para activar operación de lectura
- CS'
- Entradas de dirección
- Programación de la memoria ROM
- EPROM
- Utiliza un transistor MOS y una compuerta de silicio
- Mismo modo de programación que la PROM
- En carga normal da 1 lógico
- Para programar un 0 se usa un pulso de voltaje
- Se deja una carga neta
- Atrapada en la compuerta flotante
- Sin poder salir, la carga se guarda
- Sin poder salir, la carga se guarda
- Atrapada en la compuerta flotante
- Para regresar a estado normal (1), se neutraliza la carga
- Se expone el silicio a luz UV de gran intensidad durante cierto tiempo
- Se deja una carga neta
- Para programar un 0 se usa un pulso de voltaje
- En carga normal da 1 lógico
- Utiliza un transistor MOS y una compuerta de silicio
- PROM
- "ROMs programables una sola vez"
- Utiliza fusibles
- Mediante la quema de estos, el dato se guarda permanentemente
- En terminal base de un transistor
- Mediante la quema de estos, el dato se guarda permanentemente
- Se selecciona una fila
- Se ingresan los datos deseados en las terminales de datos
- Se aplica un pulso para quemar los fusibles que conecten con un 0 lógico
- ¡Datos guardados!
- ¡Datos guardados!
- Se aplica un pulso para quemar los fusibles que conecten con un 0 lógico
- Se ingresan los datos deseados en las terminales de datos
- Utiliza fusibles
- "ROMs programables una sola vez"
- EEPROM
- Misma estructura que la EPROM
- +pequeña región de óxido por
- Permite la posibilidad de borrarse electricamente
- Ya no es necesaria la luz UV
- Mediante la aplicación de un voltaje alto
- 21v
- Entre compuerta y colector
- 21v
- Ya no es necesaria la luz UV
- Permite la posibilidad de borrarse electricamente
- +pequeña región de óxido por
- Misma estructura que la EPROM
- EPROM
- Datos del alumno
- Maya Rojina Carlos Sebastián
- 5IM3
- Maya Rojina Carlos Sebastián
Medienanhänge
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