Zusammenfassung der Ressource
Transistores de unión bipolar
- Estructuras verticales de transistores de potencia
- Estructura de orientacion vertical de
cuatro capas de dopaje alternante
de tipo p y tipo n
- Característica I-V
- La región de arrastre determina la
especificacion de la tension de
bloqueo del BJT y tambien causa la
zona llamada cuasisaturacion de la
caracteristica I-V
- Física de operación Bjt
- mecanismos de ganancia Basica Y beta
- bJT es un dispositivo que por lo general esta apagado y se
enciende mediante la aplicacion de una corriente de base
lo bastante grande para causar la inyeccion de grandes
cantidades de portadores minoritarios en la base desde la
zona del emisor
- Tienen una baja ganancia
de corriente, en especial con
especificaciones de
tensiones de ruptura
grande.
- se desarrollo el transistor darlington,
los cuales tienen mayores ganacia de
corriente.
- El flujo lateral de la corriente en
la base es el factor limitante
basico en el desempeño del BJT.
- La modulacion pesada de conductividad de la region
de arrastre a finde reducir perdidas en estado activo
requiere largos tiempos de vida de los portadores.
- genera largos tiempos de apagado
- El apagado de algunos tipos de BJT se debe realizarpor
medio de un indice controlado de cambio de la base
negativa a fin de evitar el aislamiento de carga excesiva
almacenada en el BJT.
- Los SOA del BJT estan limitadospor la segunda ruptura
- RBSOA suele ser el factor limitante
- Los BJT con soa limitados pueden requerir una trayectoria de
commutacion controlada por circuitos de amoriguadores tanto
durante el encendido como en el apagado