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Beschreibung
Mindmap von Ronald Morejon, aktualisiert more than 1 year ago
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Erstellt von Ronald Morejon
vor etwa 8 Jahre
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Mosfet de potencia
- Estructura basica
- consta de una estructura de
orientación vertical del dopaje
alterno de tipo p y tipo n.
- consta de una estructura de
orientación vertical del dopaje
alterno de tipo p y tipo n.
- Caracteristicas I-V
- MOSFET de modo de intensificación de canal
- MOSFET de modo de intensificación de canal
- Dispositivo normalmente
apagado,y se enciende por la
aplicacion de una tencion de
compuerta fuente
- Induce una capa de inversión en la zona del canal
MOSFET que pone en cortocircuito el drenaje de la
fuente
- Induce una capa de inversión en la zona del canal
MOSFET que pone en cortocircuito el drenaje de la
fuente
- Se enciende y se apaga muy rapido
- dispositivo de portadores mayoritarios y no
hay carga que deba retirarse de el
- dispositivo de portadores mayoritarios y no
hay carga que deba retirarse de el
- Las perdidas en estado activo
suben mucho mas rapido
- con la tencion de bloqueo
especificada que las de un BJT.
- con la tencion de bloqueo
especificada que las de un BJT.
- Su resistencia en estado activo tiene un
coeficiente de temperatura positivo
- Facilmente se puede conectar en
paralelo para una mayor capacidad de
manejo de corrientes
- Facilmente se puede conectar en
paralelo para una mayor capacidad de
manejo de corrientes
- El AOS de un MOSFET para aplicaciones de modo
conmutado es grande porque no esta sujeto a
rupturas secundarias.
- Tiene un BJT parasito en su estructura
que puede bloquearse en estado
activo en circunstancias extremas
- Un AOS grande del MOSFET significa que ,
no se necesitan circuitos de
amortiguadores para el dispositivo .
Medienanhänge
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