6911949
Beschreibung
Mindmap von David Oleas, aktualisiert more than 1 year ago
|
Erstellt von David Oleas
vor fast 8 Jahre
|
|
MOSFET
- Son tan usados como los BJT de potencia e
incluso los están reemplazando en ciertas
aplicaciones
- Estrucutra con orientación vertical con dopaje
alterno tipo p y n. Existen mosfet de canales tipo n y
de tipo p
- Al igual que el BJT posee tres
terminales comperta, fuente y
drenaje
- La forma geométrica de las zonas de la
fuente influye hasta cierto punto en la
resistencia en estado activo
- Su símbolo, la dirección de la flecha
en el cable que va a la zona del
cuerpo indica el sentido de flujo de la
corriente
- TIPO n
- TIPO p
- TIPO n
- Una de las aplicaciones es que sirve
como interruptor para controlar el
flujo de potencia a la carga
- Son mas rápidos que los
dispositivos bipolares ya
que no poseen portadores
minoritarios exedentes
- Al igual que su contraparte de
baja potencia tiene las mismas
zonas en su curva de
transferencia
- Zona ohmica
- Zona Activa
- Zona de Corte
- Aunque para baja potencia la
curva de transferencias es
mas lineal que en baja
potencia
- Zona ohmica
- Los modelos de circuito
MOSFET dependen de la zona
donde esten trabajando
- Zona de corte
- Zona ohnica
- Zona de corte
- Ruptura de tensión
- Posee dos nivles de tensión
que no se deben superar Vgs,
BVdss
- Vgs: Máxima tensión
permisible para fuente
- BVdss: Máximo voltaje
de drenaje-fuente
- Vgs: Máxima tensión
permisible para fuente
- Posee dos nivles de tensión
que no se deben superar Vgs,
BVdss
- Casi toda la potencia disipada
ocurre cuando el dispositivo se
encuentra en estado activo
- Área de operación
segura
- Esta ligada a tres factores
- Máxima
corriente de
drenaje(Idm)
- Temperatura
interna de la unión
- Tensión de ruptura
- Máxima
corriente de
drenaje(Idm)
- Esta ligada a tres factores
Medienanhänge
Möchten Sie kostenlos Ihre eigenen Mindmaps mit GoConqr erstellen? Mehr erfahren.