Katrina Himes
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semiconductors

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Katrina Himes
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Chapter 2

Frage 1 von 54

1

The nucleus of a copper atom contains how many protons?

Wähle eine der folgenden:

  • 1

  • 4

  • 18

  • 29

Erklärung

Frage 2 von 54

1

The net charge of a neutral copper atom is

Wähle eine der folgenden:

  • 0

  • +1

  • -1

  • +4

Erklärung

Frage 3 von 54

1

Assume the valence electron is removed from a copper atom. The net charge of the atom becomes

Wähle eine der folgenden:

  • 0

  • +1

  • -1

  • +4

Erklärung

Frage 4 von 54

1

The valence electron of a copper atom experiences what kind of attraction toward the nucleus ?

Wähle eine der folgenden:

  • None

  • Weak

  • Strong

  • Impossible to say

Erklärung

Frage 5 von 54

1

How many valence electrons does a silicon atom have?

Wähle eine der folgenden:

  • 0

  • 1

  • 2

  • 4

Erklärung

Frage 6 von 54

1

Which is the most widely used semiconductor?

Wähle eine der folgenden:

  • Copper

  • Germanium

  • Silicon

  • None of the above

Erklärung

Frage 7 von 54

1

How many protons does the nucleus of a silicon atom contain?

Wähle eine der folgenden:

  • 4

  • 14

  • 29

  • 32

Erklärung

Frage 8 von 54

1

Silicon atoms combine into an orderly pattern called a

Wähle eine der folgenden:

  • Covalent bond

  • Crystal

  • Semiconductor

  • Valence orbit

Erklärung

Frage 9 von 54

1

An intrinsic semiconductor has some holes in it at room temperature. What causes these holes?

Wähle eine der folgenden:

  • Doping

  • Free electrons

  • Thermal energy

  • Valence electrons

Erklärung

Frage 10 von 54

1

When an electron is moved to a higher orbit level, its energy level with respect to the nucleus

Wähle eine der folgenden:

  • Increases

  • Decreases

  • Remains the same

  • Depends on the type of atom

Erklärung

Frage 11 von 54

1

The merging of a free electron and a hole is called

Wähle eine der folgenden:

  • Covalent bonding

  • Lifetime

  • Recombination

  • Thermal energy

Erklärung

Frage 12 von 54

1

At room temperature, an intrinsic silicon crystal acts approximately like

Wähle eine der folgenden:

  • A battery

  • A conductor

  • An insulator

  • A piece of copper wire

Erklärung

Frage 13 von 54

1

The amount of time between the creation of a hole and its disappearance is called

Wähle eine der folgenden:

  • Doping

  • Lifetime

  • Recombination

  • Valence

Erklärung

Frage 14 von 54

1

The valence electron of a conductor can also be called a

Wähle eine der folgenden:

  • Bound electron

  • Free electron

  • Nucleus

  • Proton

Erklärung

Frage 15 von 54

1

A conductor has how many types of flow?

Wähle eine der folgenden:

  • 1

  • 2

  • 3

  • 4

Erklärung

Frage 16 von 54

1

A semiconductor has how many types of flow?

Wähle eine der folgenden:

  • 1

  • 2

  • 3

  • 4

Erklärung

Frage 17 von 54

1

When a voltage is applied to a semiconductor, holes will flow

Wähle eine der folgenden:

  • Away from the negative potential

  • Toward the positive potential

  • In the external circuit

  • None of the above

Erklärung

Frage 18 von 54

1

For semiconductor material, its valence orbit is saturated when it contains

Wähle eine der folgenden:

  • One electron

  • Equal (+) and (-) ions

  • Four electrons

  • Eight electrons

Erklärung

Frage 19 von 54

1

In an intrinsic semiconductor, the number of holes

Wähle eine der folgenden:

  • Equals the number of free electrons

  • Is greater than the number of free electrons

  • Is less than the number of free electrons

  • None of the above

Erklärung

Frage 20 von 54

1

Absolute zero temperature equals

Wähle eine der folgenden:

  • -273 °C

  • 0 °C

  • 25 °C

  • 50 °C

Erklärung

Frage 21 von 54

1

At absolute zero temperature, an intrinsic semiconductor has

Wähle eine der folgenden:

  • A few free electrons

  • Many holes

  • Many free electrons

  • No holes or free electrons

Erklärung

Frage 22 von 54

1

At room temperature, an intrinsic semiconductor has

Wähle eine der folgenden:

  • A few free electrons and holes

  • Many holes

  • Many free electrons

  • No holes

Erklärung

Frage 23 von 54

1

The number of free electrons and holes in an intrinsic semiconductor decreases when the temperature

Wähle eine der folgenden:

  • Decreases

  • Increases

  • Stays the same

  • None of the above

Erklärung

Frage 24 von 54

1

The flow of valence electrons to the right means that holes are flowing to the

Wähle eine der folgenden:

  • Left

  • Right

  • Either way

  • None of the above

Erklärung

Frage 25 von 54

1

Holes act like

Wähle eine der folgenden:

  • Atoms

  • Crystals

  • Negative charges

  • Positive charges

Erklärung

Frage 26 von 54

1

Trivalent atoms have how many valence electrons?

Wähle eine der folgenden:

  • 1

  • 3

  • 4

  • 5

Erklärung

Frage 27 von 54

1

An acceptor atom has how many valence electrons?

Wähle eine der folgenden:

  • 1

  • 3

  • 4

  • 5

Erklärung

Frage 28 von 54

1

If you wanted to produce a p-type semiconductor, which of these would you use?

Wähle eine der folgenden:

  • Acceptor atoms

  • Donor atoms

  • Pentavalent impurity

  • Silicon

Erklärung

Frage 29 von 54

1

Electrons are the minority carriers in which type of semiconductor?

Wähle eine der folgenden:

  • Extrinsic

  • Intrinsic

  • n-type

  • p-type

Erklärung

Frage 30 von 54

1

How many free electrons does a p-type semiconductor contain?

Wähle eine der folgenden:

  • Many

  • None

  • Only those produced by thermal energy

  • Same number as holes

Erklärung

Frage 31 von 54

1

Silver is the best conductor. How many valence electrons do you think it has?

Wähle eine der folgenden:

  • 1

  • 4

  • 18

  • 29

Erklärung

Frage 32 von 54

1

Suppose an intrinsic semiconductor has 1 billion free electrons at room temperature. If the temperature drops to 0°C, how many holes are there?

Wähle eine der folgenden:

  • Fewer than 1 billion

  • 1 billion

  • More than 1 billion

  • Impossible to say

Erklärung

Frage 33 von 54

1

An external voltage source is applied to a p-type semiconductor. If the left end of the crystal is positive, which way do the majority carriers flow?

Wähle eine der folgenden:

  • Left

  • Right

  • Neither

  • Impossible to say

Erklärung

Frage 34 von 54

1

Which of the following doesn't fit in the group?

Wähle eine der folgenden:

  • Conductor

  • Semiconductor

  • Four valence electrons

  • Crystal structure

Erklärung

Frage 35 von 54

1

Which of the following is approximately equal to room temperature?

Wähle eine der folgenden:

  • 0°C

  • 25°C

  • 50°C

  • 75°C

Erklärung

Frage 36 von 54

1

How many electrons are there in the valence orbit of a silicon atom within a crystal?

Wähle eine der folgenden:

  • 1

  • 4

  • 8

  • 14

Erklärung

Frage 37 von 54

1

Negative ions are atoms that have

Wähle eine der folgenden:

  • Gained a proton

  • Lost a proton

  • Gained an electron

  • Lost an electron

Erklärung

Frage 38 von 54

1

Which of the following describes an n-type semiconductor?

Wähle eine der folgenden:

  • Neutral

  • Positively charged

  • Negatively charged

  • Has many holes

Erklärung

Frage 39 von 54

1

A p-type semiconductor contains holes an

Wähle eine der folgenden:

  • Positive ions

  • Negative ions

  • Pentavalent atoms

  • Donor atoms

Erklärung

Frage 40 von 54

1

Which of the following describes a p-type semiconductor?

Wähle eine der folgenden:

  • Neutral

  • Positively charged

  • Negatively charged

  • Has many free elctrons

Erklärung

Frage 41 von 54

1

When compared to a germanium diode, a silicon diode's reverse saturation current is

Wähle eine der folgenden:

  • Equal at high temperatures

  • Lower

  • Equal at lower temperatures

  • Higher

Erklärung

Frage 42 von 54

1

What causes the depletion layer?

Wähle eine der folgenden:

  • Doping

  • Recombination

  • Barrier potential

  • Ions

Erklärung

Frage 43 von 54

1

What is the barrier potential of a silicon diode at room temperature?

Wähle eine der folgenden:

  • 0.3 V

  • 0.7 V

  • 1 V

  • 2 mV per degree Celsius

Erklärung

Frage 44 von 54

1

When comparing the energy gap of germanium and silicon atoms, a silicon atom's energy gap is

Wähle eine der folgenden:

  • About the same

  • Lower

  • Higher

  • Unpredictable

Erklärung

Frage 45 von 54

1

In a silicon diode, the reverse current is usually

Wähle eine der folgenden:

  • Very small

  • Very large

  • Zero

  • In the breakdown region

Erklärung

Frage 46 von 54

1

While maintaining a constant temperature, a silicon diode has its reverse-bias voltage increased. The diode's saturation current will

Wähle eine der folgenden:

  • Increase

  • Decrease

  • Remain the same

  • Equal its surface-leakage current

Erklärung

Frage 47 von 54

1

The voltage where avalanche occurs is called the

Wähle eine der folgenden:

  • Barrier potential

  • Depletion layer

  • Knee voltage

  • Breakdown voltage

Erklärung

Frage 48 von 54

1

The width of a diode's depletion layer will decrease when the diode is

Wähle eine der folgenden:

  • Forward biased

  • First formed

  • Reverse biased

  • Not conducting

Erklärung

Frage 49 von 54

1

When the reverse voltage decreases from 10 to 5 V, the depletion layer

Wähle eine der folgenden:

  • Becomes smaller

  • Becomes larger

  • Is unaffected

  • Breaks down

Erklärung

Frage 50 von 54

1

When a diode is forward biased, the recombination of free electrons and holes may produce

Wähle eine der folgenden:

  • Heat

  • Light

  • Radiation

  • All of the above

Erklärung

Frage 51 von 54

1

A reverse voltage of 10 V is across a diode. What is the voltage across the depletion layer?

Wähle eine der folgenden:

  • 0 V

  • 0.7 V

  • 10 V

  • None of the above

Erklärung

Frage 52 von 54

1

The energy gap in a silicon atom is the distance between the valence band and the

Wähle eine der folgenden:

  • Nucleus

  • Conduction band

  • Atom's core

  • Positive ions

Erklärung

Frage 53 von 54

1

The reverse saturation current doubles when the junction temperature increases

Wähle eine der folgenden:

  • 1°C

  • 2°C

  • 4°C

  • 10°C

Erklärung

Frage 54 von 54

1

The surface-leakage current doubles when the reverse voltage increases

Wähle eine der folgenden:

  • 7%

  • 100%

  • 200%

  • 2 mV

Erklärung