a. La SLC (Single Level Cell), la DLC (Double Level Cell) y la MLC (Multi Level Cell).

b. La SLC (Single Level Cell), la MLC (Multi Level Cell) y la TLC (Triple Level Cell).

c. La SLC (Single Level Cell), la DLC (Double Level Cell) y la TLC (Triple Level Cell).

d. La OLC (One Level Cell), la MLC (Multi Level Cell) y la TLC (Triple Level Cell).

Si “S” se activa, la salida pasa a 1 y se mantendrá aunque “S” pase a no estar activa

b. Si S se activa, la salida se pasa a 1 y se mantendrá aunque la entrada R pase a no estar activa.

c. Si R se activa, la salida se pasa a 1 y se mantendrá aunque la entrada R pase a no estar activa.

d. Si R se activa, la salida se pasa a 1 y se mantendrá aunque la entrada S pase a no estar activa.

a. tipo 3

b. tipo 1

c. tipo 4

d. tipo 2

a. 166 MB/s

b. 266 MB/s

c. 100 MB/s

d. 133 MB/s

a. Es aquel cuyo valor de salida no sólo depende de los valores de las entradas sino además de los valores de las salidas anteriores.

b. Es aquel cuyo valor de salida sólo depende de los valores de las entradas y no de los valores de las salidas anteriores.

c. Es aquel cuyo valor de salida sólo depende de los valores de las entradas.

d. Es aquel cuyo valor de salida depende de los valores de las entradas y dependiendo del tipo también de los valores de las salidas anteriores.

a. Ocupan más espacio con respecto a las SRAM

b. Son usadas como memoria caché

c. No necesitan refresco

d. solo necesitan un condensador y un transistor MOS por cada celda

a. podemos tener conectados al mismo cable un máximo de 15 dispositivos, siendo la longitud máxima de éste de 6 metros

b. podemos tener conectados al mismo cable un máximo de 12 dispositivos, siendo la longitud máxima de éste de 5 metros

c. podemos tener conectados al mismo cable un máximo de 12 dispositivos, siendo la longitud máxima de éste de 6 metros

d. podemos tener conectados al mismo cable un máximo de 15 dispositivos, siendo la longitud máxima de éste de 5 metros

a. la resistencia térmica del disco y la integridad de los datos.

b. Ninguna de las otras tres respuestas es correcta.

c. la resistencia mecánica del disco y la rapidez de acceso a los datos.

d. la resistencia eléctrica del disco y la rapidez de acceso a los datos.

Es aquella que nos da el tiempo que tarda en activarse un tablero

Es el tiempo de respuesta desde que se localiza el tablero hasta que pasa a estar disponible

Es el tiempo que se tarda en desconectar un tablero

Es el tiempo de acceso desde que se da la orden de seleccionar el tablero hasta que se selecciona

Es el tiempo que tarda en cargarse un tablero en memoria

Es el tiempo que tarda un tablero en apagase

Es el tiempo que tarde un tablero desde que se activa hasta que se apaga

Es el tiempo de pre-carga de un tablero

2,5" y 3,5"

1,3" y 1,2"

2,5" y 1,8"

0,5"y 1,5"

1’5 a 1’1 V

2,5 a 3,5v

3 a 5v

1,5 a 2,5v

Son de uso para memorias caché

Ocupan mucho

Son rápidas por que no necesitan esa realimentación de

memoria hecha con condensadores

No se construyen con biestables

Programadas por el usuario, sólo una vez

Programables por el usuario tantas veces como se desee

Son frágiles

Hay que tener cuidado con las corrientes estáticas cercanas

Se pueden borrar (Con luz ultravioleta, de 10 a 30 min)

escribir electrónicamente

Usan la tecnología celda FAMOS (Transistores de puertas

flotantes, sin carga)

No se borra mediante luz ultravioleta

150MB/s

300MB/s

600MB/s

250MB/s

Conitroladora, Variador, Generador

Controladora , Caché y Condensador

Condensador, Caché, Generador

Controladora,Condensador, Variador y Caché

GPU, CPU, RAM, Memoria de video

GPU,RAM, RAMDAC, Memoria de video y Caché

GPU, Ramdac, Memoria de video

GPU, Ramdac, Caché, Memoria de video

Sector, Plato,Pista,Bloque,Cilindro

Plato, Cara, Cabezal, Pista, Cilindro y Sector

Cabezal, Cilindro, Bujia, Motor, Pista

Pista, Sector, Radio, Motor, Cilindro