3.5 Halbleiterdetektoren 3.5.4 Röntgen-Photodiode

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pn-Diode in Sperrrichtung	- Verarmungszone - sichtbares Licht transparente Elektrode, dünne transparente n-dotierte Zone
Photoelement	- „innerer Lichtelektrischer Effekt“ - Richtung Feldstärke → Diffusion → Spannung - Kurzschluss → Strom steigt über viele Größenordnungen linear mit Intensität
Photodiode	- Spannung in Sperrichtung → rücktreibendes Feld in Grenzschicht größer - erzeugte e-/h+-Paare abgesaugt - Detektion gepulster Strahlung
PIN-Diode	- i-Zone: intrinsisch leitfähig, doch hochohmig , schnell und empfindlich
Lawinenphotodioden	- hoch empfindlich und sehr schnell - hoher Sperrspannung - Ladungsträger stark beschleunigt → Stoßionisationen Verstärkung 10-10^4 typisch 100
harte Strahlung, dicke verschiedener Schichten	- VUV: extrem dünne Eintrittsschicht, Elektrode auf Innenseite als Gitter - härter: hochreines Germanium (p/n-dotiert) - Kühlung (flüssiges N) → Raumschwingung

Zusammenfassung der Ressource

	Erstellt von Tom Schobert vor etwa 7 Jahre