3.5 Halbleiterdetektoren 3.5.1 Detektionsprinzip 3.5.2 Eigentliche Halbleiterdetektoren 3.5.3 Streifenzähler

Question	Answer
Detektionsprinzip	- harte Photonen in Halbleitern gestoppt → Messung Energie in Form erzeugter Ladungsträger - 1 Photon → 1 Photoreflektion → Abbremsen durch Stöße → Elektron-Ion-Paare - erstes Elektron von innerer Schale → Loch → Emission weicheres Photon, Auger-Elektron - Messung Anzahl erzeugter Elektronen wird gemessen - Bandlücke ∞ 1eV → Energie für Energien freies Elektron größer → Phononen
„Fano-Limit	ΔE=2E_s √2ln2 √(r_n^2+f hυ/E_s ) f≈0.117 r_n vernachlässigbar klein für große Photonenenergie → √hν große Photonenenergie → großes Volumen notwendig kleine Photonenenergie → Schwierigkeiten Photon in aktive Zone → Energiebestimmung unterhalb einige 100 eV nicht sinnvoll möglich
Eigenschaften	- U= 50-1000 V - hochreine Einkristalle o erzeugte Ladungen nicht an Fremdatomen neutralisiert o niedriger Dunkelstrom - Strom bei Raumtemperatur viel größer als Signal, nur jedes 1012 Atome ionisiert - Fluktuationen: Rauschen Verstärker und Untergrundrauschen - Kühlung flüssiger Stickstoff → untergrundfrei, hohe Auflösung zur Analyse einzelner harter Photonen
Streifenzähler	- an welcher Position im Detektor aufgetroffen - Auslesespannung an jeder Endfläche durch viele parallele Streifen angelegt, Strom kann durch jeden Streifen separat gemessen - 2D: Streifen an Boden und Deckfläche orthogonal: Ortsauflösung 20-400 μm - einzelne Photonen - Kern-,Teilchenphysik - Medizin Röntgendiagnostik bei niedrigen Flüssen

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