Unidad 2 - Electrónica Digital, 5IM3, Medina Gloria José Alejandro
Memoria ROM
Antecedentes de la ROM
La memoria ROM es un tipo de
memoria semiconductora,diseñada
para retener datos de forma
permanente o que cambien con
poca frecuencia, por lo general, son
programadas al momento de su
fabricación.
Arquitectura de la memoria ROM
PROM
La memoria PROM es un
PLD en el que las uniones
en la matriz de puertas
AND es fija, siendo
programables las uniones
en la matriz de puertas
OR.
EPROM
Sus celdas son transistores de
puerta flotante,y pueden ser
programadas varias veces, sin
embargo, no se pueden borrar
de forma parcial o selectiva ya
que la luz ultravioleta afecta
por igual a todas las celdas.
EEPROM
En sus celdas utilizan transistores MOS, aunque una EEPROM puede
ser leída un número ilimitado de veces, sólo puede ser borrada y
reprogramada entre 100.000 y un millón de veces. Estos dispositivos
suelen comunicarse mediante protocolos como I²C, SPI y Microwire.
En otras ocasiones, se integra dentro de chips como
microcontroladores y DSPs para lograr una mayor rapidez.
Especificaciones técnicas de la ROM
PROM
Una PROM es un sistema combinacional completo que permite realizar cualquier función lógica
con las n variables de entrada, ya que dispone de 2n términos productos. Están muy bien
adaptadas para aplicaciones tales como: tablas, generadores de caracteres, convertidores de
códigos, etc. Generalmente las PROM tienen menos entradas que las PAL y FPLA. Se pueden
encontrar PROM con capacidades potencia de 2, que van desde las 32 hasta las 8192 palabras de
4, 8 o 16 bit de ancho
EPROM
Las EPROMs almacenan bits de datos en celdas formadas a partir de transistores FAMOS
(Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) de cargas almacenadas. Los
dispositivos EPROM de la familia 2700 contienen celdas de almacenamiento de bits configuradas
como bytes direccionables individualmente. Habitualmente esta organización interna suele
denominarse como 2K x 8 para el caso de una 2716, 8k x 8 para una 2764.
EEPROM
Es un tipo de memoria ROM que puede ser programado, borrado y reprogramado
eléctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante un aparato que emite
rayos ultravioletas. Son memorias no volátiles. Este dispositivo mantiene la misma estructura de
la compuerta flotante como la EPROM, pero tiene adicionalmente una capa muy delgada de una
región de óxido sobre el drenaje de la celda de memoria MOSFET. Esta modificación produce las
mejores características de la EEPROM
Programación de las memorias ROM
PROM
Las memorias PROM son
programadas a través de
sobre alimentar las celdas
deseadas, es decir,
quemando un fusible, por
lo cual sólo pueden ser
programadas una sola vez.
EPROM
Éstas memorias se programan a mediante la
alimentación de los transistores, es decir, sus
celdas. Una vez alimentados permanecen en "1"
lógico, es decir, con el dato almacenado hasta que
sean borrados mediante luz ultravioleta.
EEPROM
Durante una operación de escritura, la circuitería interna automáticamente borra todo de las
celdas en una localidad, previa a una escritura de los datos nuevos. La facilidad de borrar bytes
hace mucho más fácil hacer cambios en los datos almacenados en este tipo de memoria.