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Duvismar pazu
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mapa mental
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Duvismar pazu
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14021968
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2018-06-02T17:52:57Z
MAPA MENTAL MEMORIA RAM, ROM Y CACHE
Una memoria es un dispositivo capaz de almacenar información
MEMORIA RAM
MEMORIA ROM
memoria de acceso aleatorio
se puede leer y escribir datos en ella
se cargan las instrucciones que se ejecutan en el procesador
volátil
tecnologías RAM
SDRAM
Memoria estática de acceso aleatorio
mantiene los datos mientras tenga alimentación sin necesidad de refresco
mas rápida, menor
consumo, mas cara
que la DRAM
DRAM
Empleada comúnmente como modulo de RAM.
requiere refresco
para mantener un
dato almacenado
sin fuente de energía pierde los datos
memorias que nacen a partir de las DRAM
SDRAM: puede funcionar a la misma velocidad que la main board
RDRAM: una de las memorias mas costosas
pc100 fue un estándar publicado por Intel
trabaja a una velocidad mayor que la SDRAM
TIPOS DE MEMORIA RAM
SIMM
DIMM
RIMM
placa circuito impreso donde se montan los integrados
se insertan sobre sócalos de la main board
hay 2 versiones:
SIMM de 30 terminales,manejo de
8 bits, mide 8.96cm de largo por
1.92cm de alto, tiempo de
respuesta de 60nsg
sIMM de 72 terminales,,
menjo de 32 bits, mide
10.88cm de largo por
2.54cm de alto, tiempo
de respuesta 40nsg
contactos independientes en las dos caras,
DIMM-SDRAM 168 terminales, latencia promedio
CAS 3, tiempo de respuesta 12nsg, 10nsg, 8nsg
hay 2 versiones
DIMM - SDRAM 168 terminales PC100,
DIMM - SDRAM 168 terminales PC133
requieren difusor de calor, mayor
rendimiento, deben ir por pares no
funciona solo si coloca solamente
un modulo de memoria
Todos las memorias RIMM
cuentan con 184 terminales,
permite el manejo de 16
bits.
RIMM 184 terminales
latencia promedio CAS 4 y
5, teimpo de respuesta
40nsg aproximadamente
DIMM - SDRAM 168 terminales PC100 capacidad 32 MB, 64 MB, 128 MB, 256 MB, 512 MB,
DIMM - SDRAM 168 terminales PC133 capacidad 32 MB, 64 MB, 128 MB, 256 MB, 512 MB
SIMM 30 terminales 256 KB, 512 KB, 1 MB, 2 MB, 4 MB, 8,
SIMM 72 terminales 4 MB, 8 MB, 16 MB, 32 MB, 64 MB
RIMM 184 terminales 64 MB, 128 MB, 256 MB
RAM- DDR
DDR-SDRAM–184 Contactos.
DDR2-SDRAM–240 Contactos.
DDR3-SDRAM–240 Contactos.
DDR4.SDRAM –288 Contactos.
DDR PC2100 tempo de respuesta 7.5 nsg. latencia 2.5
DDR PC2700 teimpo de respuesta 6nsg. latencia 2.5
DDR PC3200 tiempo de respuesta 5nsg. latencia 2.5
hasta 4
DDR 184 terminales, capacidad 128 MB,
256 MB, 512 MB y 1 GB
DDR-2 PC5300 tiempo de respiuesta 6
nseg. DDR-2 PC6400 tiempo de respuesta 5
nseg
DDR-2 240 terminales capaciadad 256
MB, 512 MB, 1 GB, 2 GB, y 4 GigaBytes
(GB)
DDR3 PC3-8500 latencia 6 hasta 8.
DDR3 PC3-10666 latencia 7 hasta 10
DDR3 PC3-12800 latencia 8 hasta 11
DDR3 PC3-14900 latencia 11 hasta 13
DDR3 PC3-16000 latencia 9
DDR4 Utiliza la tecnología
de 30 nanómetros para
su fabricación.
DDR-3 240 terminales en
un sólo módulo ,
capacidad 1 GB, 2 GB, 4
GB, 8 GB
Tiene un voltaje de alimentación de
1.2-1.35 Volts, menor a las anteriores
versiones DDR., Incompatible con DDR3
DDR4 PC4-14900E latencia
12-15
DDR-4 288 terminales en un sólo módulo capaciadad 2 GB, 4 GB, 8 GB y 16 GB
Este tipo de memoria es
volátil.
memoria de solo
lectura
Los datos son almacenados de fabrica.
Los datos no pueden ser alterados(fácilmente).
tipos de memoria
ROM
PROM:
Se puede almacenar en ella en una sola
oportunidad.
Requiere un dispositivo especial para modificar
los datos llamado programamador de
memorias.
EPROM
Este tipo de chips se puede
borrar empleando luz
ultravioleta.
Soportan el almacenamiento sin
corrupción de los datos por diezo veinte
años.
Se caracterizan por poseer
una ventana en la parte
superior para el borrado(BIOS).
EEPROM
Se puede programar y borrar eléctricamente.
Se puede escribir un numero limitado de
veces
La memoria flash es una forma avanzada
de EEPROM creada por el Dr. Fujio Masuoka
mientras trabajaba para Toshiba en 1984
MEMORIA FLASH: evolución de EEPROM
Lectura y escritura de múltiples
posiciones al mismo tiempo.
Aumenta la velocidad.
La emplean las conocidas memorias USB.
MEMORIA CACHE
El objetivo de la memoria
caché es lograr que la
velocidad de la memoria sea
lo más rápida posible,
Cantidad pequeña de memoria rápida
esta entre la memoria principal normal y la CPU
ELEMENTOS DE DISEÑO DE LA CACHÉ
NIVELES DE LA CACHÉ
L1 o nivel 1
Caché interna: la más cercana a la CPU
Tamaño pequeño (8KB-128KB)
y máxima velocidad
L1 o nivel 2
Caché externa: entre L1 y L3
(o entre L1 y M. Principal)
Tamaño mediano (256KB – 4MB) y
menor velocidad que L1.
L3 o nivel 3
Último nivel antes de M. Principal
Tamaño mayor y menor velocidad que L2
ESTRUCTURA Y DISEÑO DE LA CACHÉ
Se divide la M:P y la M.C en bloques de igual tamaño
a cada bloque de M.P le corresponderá una linea de memoria caché
FUNCIÓN DE CORRESPONDENCIA
TRANSFERENCIA DE
DATOS
INTERNA
Depende del tamaño del bus
EXTERNA
Se utilizan bloques que son agrupaciones de
palabras
UNIDAD
DIRECCIONABLE
Menor localización que puede ser direccionada
Palabra
ALGORITMO DE SUSTITUCIÓN
MÉTODOS DE ACCESO
Secuencial
Inicia en el comienzo de la memoria
y va leyendo posición por posición
El tiempo de acceso depende de la localización
Ejemplo: Un caset
Directo
Los bloques individuales
tienen una única dirección
Acceso es un salto con respecto al
acceso secuencial
El tiempo de acceso depende
de la posición anterior
Aleatorio
Ejemplo: Un
disco
Las direcciones individuales
identifican direcciones
exactamente
El tiempo de acceso es independiente
de la localización anterior o sucesos
anteriores
Ejemplo: RAM
Asociativo
Los datos están localizados por
comparación con el contenido de una
porción de los datos
El tiempo de acceso es independiente
de accesos previos
Ejemplo cache
DIRECCIONAMIENTO
Ubicación de la caché
Entre el procesador y la unidad
administradora de memoria (MMU)
Entre la MMU y la memoria principal
La cache lógica (Cache virtual) almacena la
información utilizando direcciones virtuales
La caché fisica almacena información
utilizando direcciones de memoria principal
Procesador accede la cache
directamente, pero no la cache física
La cache se accede muy rápido
Las direcciones virtuales usan el mismo
espacio para aplicaciones diferentes
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