Diodo em função da frequência

Período
1. Tempo que um sinal periódico leva para se repetir
Frequência
1. Inverso de T (1/T)
  1. Quantas vezes um T ocorre em um segundo
Comportamento Interno do Diodo
1. Capacitivo e Indutivo
  1. Demora na resposta
    1. Oscilação no tempo comprometida
  2. Comportamentos Parasitários
2. Dopagem
  1. Adiciona impurezas no silício
    1. Permitir passagem elétrica
    2. ND - Elementos com 5 elétrons na CV
    3. NA - Elementos com 3 elétrons na CV
3. Depleção de Cargas Móveis (W)
  1. Átomos da camada de Junção são neutros Sem elétrons livres (equilíbrio entre n e p)
4. Interstício de Junção
  1. Forma um capacitor
  2. Campo Elétrico (E) formado nessa região
  3. Naturalmente sem corrente elétrica
  4. Tensão Interna ~0.5 V
5. Tensão Externa Inversa
  1. Aumenta tensão no E do capacitor
    1. Corrente Elétrica mais difícil
    2. Diodo Polarizado Inversamente
  2. Tensão externa negativa no cátodo (+) e vice versa
6. Is - Pequena Corrente Elétrica no Capacitor
  1. Dependa das constantes internas físicas do material silício
7. Tensão Externa Direta
  1. Diminui Tensão no E do Capacitor
  2. Corrente Elétrica Aumentada
  3. Diodo Polarizado Diretamente
8. Fator de Ajuste
  1. Idealidade ( 1<= n <= 2)
Chave aberta para SC negativo Chave fechada para SC positivo
Capacitor
1. Capacitor em paralelo com a chave para correção (Para SC negativos)
2. Capacitor representado pela impedância
3. Para corrigir capacitância parasitária do diodo
4. Frequência → 0 (Baixa) Impedância → ∞ (Alta)
  1. Chave aberta
    1. Corrente = 0 SaÍda = 0 V
5. Frequência → ∞ (Alta) Impedância → 0 (Baixa)
  1. Chave fechada
    1. Há corrente e V da saída < = V entrada
  2. Pode haver curso com f muito alto
6. Corrente
  1. Nd → Impurezas do Ãnodo
  2. NA → Impurezas do Cátodo
  3. Fator de Ajuste (1 < n < 2)
  4. Vd = Vak (Tensão de Junção
  5. Área seção da Junção (A)
  6. Cargas Móveis (ni)
  7. Distância da Junção (L → Â)
Estrutura Interna do Diodo
1. 3 Partes de Silício
  1. Estrutura Única de Silício
    1. Ânodo, Cátodo e Bloco de cristal no centro
    2. Semicondutor
  2. Maioria dos Diodos
  3. Estrutura Atômica
    1. Distância entre átomos ~ 5 Â
    2. Si = 4 átomos de valência
    3. Aquecimento
      1. Lacunas
        Elétrons escapam da camada de valência e ficam livres
        Corrente elétrica
      2. Torna o Silício Condutor
2. Junção pn
  1. Parte do diodo onde o cátodo e o ânodo se encontram
    1. Cátodo = n Ânodo = p
Simulador de Circuíto
1. Usa capacitância (C) e Corrente (I) para modelar comportamento do Diodo
2. Modelo
  1. Tensão Externa (VD)
  2. R parasitário (<= 1 Ohm)
  3. Capacitor Variável
  4. Fonte Corrente
Diodos Varactores
1. Capacitância Controlada
2. Osciladores Controlados por Tensão (VCOs)
  1. Circuito RLC + Diodo Varactor
  2. Frequência de Sintonia (Rádio)
    1. 12V externa
      1. Range FM (98 a 108MHz)
3. Diodo Variável
4. Tensão Direta
Diodos DZener
1. Capacitância Controlada
2. Diodo Variável
3. Tensão Inversa
4. Curva logaitmica é uma reta // em Y
  1. Tensão cte independente da I
  2. Permite modelar o DZener por uma bateria
5. Regulador de Tensão
  1. Substituir DZener por Bateria
    1. Entrada V oscilante Saída V contínua

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Descripción

Resumen del Recurso

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