Duvismar pazu
Mapa Mental por , creado hace más de 1 año

mapa mental

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Duvismar pazu
Creado por Duvismar pazu hace casi 7 años
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MAPA MENTAL MEMORIA RAM, ROM Y CACHEUna memoria es un dispositivo capaz de almacenar informaciónMEMORIA RAMMEMORIA ROMmemoria de acceso aleatoriose puede leer y escribir datos en ellase cargan las instrucciones que se ejecutan en el procesadorvolátiltecnologías RAMSDRAMMemoria estática de acceso aleatoriomantiene los datos mientras tenga alimentación sin necesidad de refrescomas rápida, menorconsumo, mas caraque la DRAMDRAMEmpleada comúnmente como modulo de RAM.requiere refrescopara mantener undato almacenadosin fuente de energía pierde los datosmemorias que nacen a partir de las DRAMSDRAM: puede funcionar a la misma velocidad que la main boardRDRAM: una de las memorias mas costosaspc100 fue un estándar publicado por Inteltrabaja a una velocidad mayor que la SDRAMTIPOS DE MEMORIA RAMSIMMDIMMRIMMplaca circuito impreso donde se montan los integradosse insertan sobre sócalos de la main boardhay 2 versiones:SIMM de 30 terminales,manejo de8 bits, mide 8.96cm de largo por1.92cm de alto, tiempo derespuesta de 60nsgsIMM de 72 terminales,,menjo de 32 bits, mide10.88cm de largo por2.54cm de alto, tiempode respuesta 40nsgcontactos independientes en las dos caras,DIMM-SDRAM 168 terminales, latencia promedioCAS 3, tiempo de respuesta 12nsg, 10nsg, 8nsghay 2 versionesDIMM - SDRAM 168 terminales PC100,DIMM - SDRAM 168 terminales PC133requieren difusor de calor, mayorrendimiento, deben ir por pares nofunciona solo si coloca solamenteun modulo de memoriaTodos las memorias RIMMcuentan con 184 terminales,permite el manejo de 16bits.RIMM 184 terminaleslatencia promedio CAS 4 y5, teimpo de respuesta40nsg aproximadamenteDIMM - SDRAM 168 terminales PC100 capacidad 32 MB, 64 MB, 128 MB, 256 MB, 512 MB,DIMM - SDRAM 168 terminales PC133 capacidad 32 MB, 64 MB, 128 MB, 256 MB, 512 MBSIMM 30 terminales 256 KB, 512 KB, 1 MB, 2 MB, 4 MB, 8,SIMM 72 terminales 4 MB, 8 MB, 16 MB, 32 MB, 64 MBRIMM 184 terminales 64 MB, 128 MB, 256 MBRAM- DDRDDR-SDRAM–184 Contactos.DDR2-SDRAM–240 Contactos.DDR3-SDRAM–240 Contactos.DDR4.SDRAM –288 Contactos.DDR PC2100 tempo de respuesta 7.5 nsg. latencia 2.5DDR PC2700 teimpo de respuesta 6nsg. latencia 2.5 DDRPC3200 tiempo de respuesta 5nsg. latencia 2.5 hasta 4DDR 184 terminales, capacidad 128 MB,256 MB, 512 MB y 1 GBDDR-2 PC5300 tiempo de respiuesta 6 nseg.DDR-2 PC6400 tiempo de respuesta 5 nsegDDR-2 240 terminales capaciadad 256 MB,512 MB, 1 GB, 2 GB, y 4 GigaBytes (GB)DDR3 PC3-8500 latencia 6 hasta 8.DDR3 PC3-10666 latencia 7 hasta 10DDR3 PC3-12800 latencia 8 hasta 11DDR3 PC3-14900 latencia 11 hasta 13DDR3 PC3-16000 latencia 9DDR4 Utiliza latecnología de 30nanómetros para sufabricación.DDR-3 240 terminales enun sólo módulo , capacidad1 GB, 2 GB, 4 GB, 8 GBTiene un voltaje de alimentación de1.2-1.35 Volts, menor a las anterioresversiones DDR., Incompatible con DDR3DDR4 PC4-14900E latencia 12-15DDR-4 288 terminales en un sólo módulo capaciadad 2 GB, 4 GB, 8 GB y 16 GBEste tipo de memoria esvolátil.memoria de solo lecturaLos datos son almacenados de fabrica.Los datos no pueden ser alterados(fácilmente).tipos de memoria ROMPROM:Se puede almacenar en ella en una sola oportunidad.Requiere un dispositivo especial para modificar losdatos llamado programamador de memorias.EPROMEste tipo de chips se puede borrarempleando luz ultravioleta.Soportan el almacenamiento sin corrupciónde los datos por diezo veinte años.Se caracterizan por poseer unaventana en la parte superior parael borrado(BIOS).EEPROMSe puede programar y borrar eléctricamente.Se puede escribir un numero limitado de vecesLa memoria flash es una forma avanzada deEEPROM creada por el Dr. Fujio Masuokamientras trabajaba para Toshiba en 1984MEMORIA FLASH: evolución de EEPROMLectura y escritura de múltiplesposiciones al mismo tiempo.Aumenta la velocidad.La emplean las conocidas memorias USB.MEMORIACACHEEl objetivo de la memoriacaché es lograr que la velocidadde la memoria sea lo másrápida posible,Cantidad pequeña de memoria rápidaesta entre la memoria principal normal y la CPUELEMENTOS DE DISEÑO DE LA CACHÉNIVELES DE LA CACHÉL1 o nivel 1Caché interna: la más cercana a la CPUTamaño pequeño (8KB-128KB) ymáxima velocidadL1 o nivel2Caché externa: entre L1 y L3(o entre L1 y M. Principal)Tamaño mediano (256KB – 4MB) ymenor velocidad que L1.L3 o nivel3Último nivel antes de M. PrincipalTamaño mayor y menor velocidad que L2ESTRUCTURA Y DISEÑO DE LA CACHÉSe divide la M:P y la M.C en bloques de igual tamañoa cada bloque de M.P le corresponderá una linea de memoria cachéFUNCIÓN DE CORRESPONDENCIATRANSFERENCIA DEDATOSINTERNADepende del tamaño del busEXTERNASe utilizan bloques que son agrupaciones depalabrasUNIDADDIRECCIONABLEMenor localización que puede ser direccionadaPalabraALGORITMO DE SUSTITUCIÓNMÉTODOS DE ACCESOSecuencialInicia en el comienzo de la memoriay va leyendo posición por posiciónEl tiempo de acceso depende de la localizaciónEjemplo: Un casetDirectoLos bloques individualestienen una única direcciónAcceso es un salto con respecto alacceso secuencialEl tiempo de acceso dependede la posición anteriorAleatorioEjemplo: UndiscoLas direcciones individualesidentifican direccionesexactamenteEl tiempo de acceso es independientede la localización anterior o sucesosanterioresEjemplo: RAMAsociativoLos datos están localizados porcomparación con el contenido de unaporción de los datosEl tiempo de acceso es independientede accesos previosEjemplo cacheDIRECCIONAMIENTOUbicación de la cachéEntre el procesador y la unidadadministradora de memoria (MMU)Entre la MMU y la memoria principalLa cache lógica (Cache virtual) almacena lainformación utilizando direcciones virtualesLa caché fisica almacena informaciónutilizando direcciones de memoria principalProcesador accede la cachedirectamente, pero no la cache físicaLa cache se accede muy rápidoLas direcciones virtuales usan el mismoespacio para aplicaciones diferentesHaz doble clic en este nodo para editar el textoHaz clic en este nodo y arrástralo para crear uno nuevo