Examen CAN

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Pregunta 1 de 129

❌ ^-

Considerand circuitul Trigger-Schmitt din imagine, care sunt factorii care determina intervalul de histerezis? (alegeti 2 raspunsuri)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

DIferenta dintre nivelurile superioare si inferioare ale tensiunii de iesire
Intrarea Vi setata la 1 logic
Utilizarea unui comparator in locul unui amplificator
Raportul dintre rezistentele R1 si R2

Explicación

Pregunta 2 de 129

Nivelele logice (0,1) ale circuitelor NMOS depind de ... (alegeti 1 raspuns)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Numarul de tranzistoare MOS cu canal P sau N
Numarul de tranzistoare NMOS
Tensiunea de alimentare
Numarul de surse de tensiune

Explicación

Pregunta 3 de 129

In imaginea de mai jos, pentru o valoare a intrarii A echivalenta cu "1" logic si a intrarii I (i mare) echivalenta tot cu "1" logic, tranzistorul Q2 va fi: (alegeti 1 raspuns)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

In regiunea de blocare
In regiunea activa normala
In regiunea activa inversa
In regiunea de saturatie

Explicación

Pregunta 4 de 129

❌ ^-

Se considera circuitul basculant monostabil din imagine realizat cu porti TTL. Selectati afirmatiile corecte. (alegeti 3 raspunsuri)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Iesirea portii P1 este in starea 0 logic cand E=1 logic si iesirea portii P2 este in starea 0 logic
Valoarea capacitatii electrice a condensatorului nu influenteaza durata starii instabile
Portile TTL nu sunt afectate de semnalelel negative cauzate de functionarea condensatorului datorita diodelor de protectie din structura lor interna
Prin incarcarea condensatorului, se atinge tensiunea de prag a portii P2 comutand astfel in starea 1 logic
Cand iesirea portii P1 este in starea 0 logic, circuitul se afla in stare stabila
Iesirea portii P2 comuta in starea 1 logic imediat dupa comutarea iesirii portii P1 in starea 1 logic prin incarcarea condensatorului.

Explicación

Pregunta 5 de 129

Principalele tipuri de CAN includ: (alegeti 1 raspuns)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

CAN lucrand in mod paralel (flash)
Toate celelalte variante
CAN cu aproximatii
CAN cu simpla rampa

Explicación

Pregunta 6 de 129

❌ ^-

Pentru stocarea datelor/programului unui microcontroller se poate utiliza, din punct de vedere al componentelor hardware, fie o singura memorie ce contine si date si program, fie doua memorii separate, una pentru date, alta pentru program. Care sunt efectele utilizarii unei singure memorii in loc de doua? (selectati 2 raspunsuri)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Necesitatea utilizarii a 2 magistrale separate pentru accesul la memorie
Cost mai redus al componentelor
Cresterea consumului de putere al circuitului
Reducerea dimensiunii circuitului final

Explicación

Pregunta 7 de 129

❌ ^-

Bifati varianta/variantele corecte, considerand circuitul de mai jos: (alegeti 2 raspunsuri)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Diferenta de potential pe fiecare dintre rezistori e aceeasi
La fiecare nod de circuit, curentul se imparte in functie de valoarea rezistorilor
Oriunde am masura, curentul in circuit este acelasi
Pentru a calcula rezistenta pe intreg circuitul, trebuie sa adunam valorile tuturor rezistorilor

Explicación

Pregunta 8 de 129

❌ ^-

Pentru a filtra si stabiliza semnalul tensiunii de pe iesirea redresorului cu dubla alternanta avem nevoie de: (alegeti 2 raspunsuri)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Un condensator legat in serie cu acesta
O dioda zener legată in paralel cu redresorul
Un condensator legat in paralel cu acesta
Nicio varianta nu este corecta

Explicación

Pregunta 9 de 129

Procesul de adaugare de impuritati in semiconductoare pentru a schimba comportamentul acestor tipuri de materiale se numeste: (alegeti 1 raspuns)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Electroliza
Oxidare
Dopare

Explicación

Pregunta 10 de 129

❌ ^-

Care afirmatii sunt adevarate in cazul circuitelor de memorie bazate pe celula de memorie DRAM MOS cu un tranzistor? (alegeti 2 raspunsuri)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Implementeaza functia de cautare hardware intr-un singur ciclu de ceas
Nu necesita un ciclu suplimentar de reimprospatare
Timpul de acces este mai mare decat in cazul circuitelor SRAM
Necesita un ciclu suplimentar de reimprospatare
Timpul de acces este mai mic decat in cazul circuitelor SRAM

Explicación

Pregunta 11 de 129

❌ ^-

Care afirmatii sunt adevarate in cazul circuitelor de memorie bazate pe celula de memorie DRAM MOS cu un tranzistor? (alegeti 2 raspunsuri)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Celulele de memorie nu trebuie reincarcate dupa fiecare ciclu de citire
Celulele de memorie trebuie reincarcate dupa fiecare ciclu de citire
Informatia este stocata in bistabile realizate cu tranzistoare MOS
Informatia este stocata intr-un dispozitiv MOS cu stocare de sarcina si poarta flotanta
Informatia este stocata in condensatoare

Explicación

Pregunta 12 de 129

❌ ^-

Se considera ciruitul basculant astabil din imagine. Selectati afirmatiile corecte (alegeti 2 raspunsuri)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Circuitul se poate afla doar in stari instabile
Descarcarea condensatorului C2 prin tranzistorul Q2 determina scaderea potentialului in baza tranzistorului Q1
Descarcarea condensatorului C2 prin tranzistorul Q2 determina cresterea potentialului in baza tranzistorului Q1
Circuitul se poate afla in doua stari, una stabila si una instabila

Explicación

Pregunta 13 de 129

Cate impulsuri de tact (aproximativ) trebuie sa treaca pentru fiecare bit, in cadrul unei transmisii seriale (e.g. UART), daca se utilizeaza un oscilator de frecventa de 12MHz si se doreste obtinerea unei rate Baud de 115200 biti pe secunda? (selectati 1 raspuns)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Explicación

Pregunta 14 de 129

❌ ^-

Care afirmatii sunt adevarate in cazul circuitelor de memorie bazate pe celula de memorie SRAM CMOS (alegeti 2 raspunsuri)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Este o memorie adresabila prin continut
Este o memorie nevolatila
Este o memorie volatila
Operatia de citire nu este distructiva
Operatia de citire este distructiva

Explicación

Pregunta 15 de 129

La dispozitivele de cautare hardware CAM codificatorul (alegeti 1 raspuns)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Returneaza datele din memorie pe baza adresei
Primeste datele cautate si genereaza adresa datelor
Primeste semnalele de la liniile match si genereaza adresa datelor cautate
Returneaza semnale de matching ce descriu datele cautate

Explicación

Pregunta 16 de 129

Pe fronturile de comutatie ale circuitelor integrate CMOS, puterea disipată ... (alegeti 1 raspuns)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Poarta nu consuma curent
Creste consumul de putere
Toate variantele
Unul dintre cele 2 tranzistoare MOS complementare este blocat

Explicación

Pregunta 17 de 129

Considerand valorile iesirilor din imaginea de mai jos, este adevarat ca: (alegeti 1 raspuns)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Nivelul tensiunii la iesirea comuna a portilor este dat de functia SI intre iesirile fiecarei porti
Circuitul functioneaza fara pierderi
Consumul celor 2 circuite TTL este redus
Puterea disipata pe rezistenta R24 si tranzistorii Q23 si Q14 este prea mare

Explicación

Pregunta 18 de 129

Pentru circuitul de mai jos, calculati caderile de tensiune si curentii prin rezistori: (alegeti 1 raspuns)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

UR1 = 4.5V, I1 = 0.75mA
UR2 = 7.5V, I2 = 0.75mA
UR3 = 3V, I3 = 0.75mA
UR1 = 5V, I1 = 1.25mA
UR2 = 8V, I2 = 1.25mA
UR3 = 2V, I3 = 1.25mA
UR1 = 5V, I1 = 0.5mA
UR2 = 5V, I2 = 0.75mA
UR3 = 5V, I3 = 1.5mA
UR1 = 3V, I1 = 1mA
UR2 = 9V, I2 = 1mA
UR3 = 3V, I3 = 1mA

Explicación

Pregunta 19 de 129

❌ ^-

Despre timpii de propagare in circuitele logice integrate, se pot afirma urmatoarele: (2 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Timpii de intarziere se calculeaza exclusiv pe baza semnalului de iesire
Timpii de crestere si de cadere (Rise Time si Fall Time) se definesc pentru fronturile de tensiune ale semnalului
Timpul de propagare nu influenteaza valoarea maxima a frecventei semnalului de intrare
Timpul de propagare mediu nu include timpii de intarziere
Se definesc tinand cont de amplitudinea semnalului de intrare, precum si a celui de iesire

Explicación

Pregunta 20 de 129

Pentru asigurarea unui curent de mare iesire, driverul 4511 are prevazut la iesire un : (1 rasp)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Amplificator cu reactie negativa
Amplificator cu reactie pozitiva
Tranzistor cu efect de camp cu canal p
Tranzistor bipolar
Nimic

Explicación

Pregunta 21 de 129

Se considera circuitul basculant din imagine. Selectati afirmatia corecta. (1 rasp)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Circuitul functioneaza ca un bistabil cand rezistenta r are valoarea 0
Rezistenta r este dimensionata pentru a avea doar tensiune negativa in baza tranzistorilor T1 si T2
Rezistenta r nu poate avea valoarea 0 pentru ca circuitul sa poata functiona ca un bistabil
Cresterea tensiunii in Uc2 va fi transmisa in baza tranzistorului T1 daca rezistenta r are valoarea 0

Explicación

Pregunta 22 de 129

Din cate circuite de memorie 5128 se obtine un bloc de memorie avand capacitatea de 1638432 ? (1 rasp)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Explicación

Pregunta 23 de 129

Tensiunea de prag (Vt) a tranzistorului MOS este: (1 rasp)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

O valoare a tensiunii grila-drena
O valoare a tensiunii grilei
O valoare a tensiunii sursa-baza
O valoare a tensiunii grila-sursa

Explicación

Pregunta 24 de 129

❌ ^-

Care afirmatii sunt adevarate in cazul circuitelor de memorie bazate pe celula de memorie SRAM CMOS? (2 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Informatia este stocata in condensatoare
Informatia este stocata in bistabile realizate cu tranzistoare MOS
Informatia este stocata intr-un dispozitiv MOS cu stocare de sarcina si poarta flotanta
Celulele de memorie nu trebuie reincarcate dupa fiecare ciclu de citire
Celulele de memorie trebuie reincarcate dupa fiecare ciclu de citire

Explicación

Pregunta 25 de 129

Selectati ordinea corecta de executie a etapelor executate de un microcontroller pentru gestionarea unei intreruperi. (1 rasp)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Determina sursa de intrerupere, acceseaza tabela vectorilor de intrerupere, executa rutina de tratare a intreruperii, salveaza pe stiva locatia urmatoarei instructiuni, incarca de pe stiva locatia urmatoarei instructiuni
Determina sursa de intrerupere, executa rutina de tratare a intreruperii, acceseaza tabela vectorilor de intrerupere, salveaza pe stiva locatia urmatoarei instructiuni, incarca de pe stiva locatia urmatoarei instructiuni
Determina sursa de intrerupere, salveaza pe stiva locatia urmatoarei instructiuni, incarca de pe stiva locatia urmatoarei instructiuni, acceseaza tabela vectorilor de intrerupere, executa rutina de tratare a intreruperii
Salveaza pe stiva locatia urmatoarei instructiuni, determina sursa de intrerupere, acceseaza tabela vectorilor de intrerupere, executa rutina de tratare a intreruperii, incarca de pe stiva locatia urmatoarei instructiuni

Explicación

Pregunta 26 de 129

Selectati ordinea corecta a activarii intrarilor pentru scrierea in memoriile RAM. (1 rasp)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Adresa, selectie, semnal read/write, date
Adresa, semnal read/write, selectie, date
Selectie, adresa, semnal read/write, date
Date, adresa, selectie, semnal read/write

Explicación

Pregunta 27 de 129

La un tranzistor MOS la care nu aplicam potential in grila: (1 rasp)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Daca intre drena si sursa se aplica o tensiune pozitiva, una din jonctiuni e polarizata invers => nu exista curent intre drena si sursa => tranzistorul este blocat
Daca intre drena si sursa se aplica o tensiune pozitiva, una din jonctiuni e polarizata invers => nu exista curent intre drena si sursa => tranzistorul functioneaza in regim normal
Daca intre drena si sursa se aplica o tensiune pozitiva, una din jonctiuni e polarizata invers => nu exista curent intre drena si sursa => tranzistorul functioneaza in regim invers

Explicación

Pregunta 28 de 129

Bifati varianta gresita referitoare la semnalele electrice: (1 rasp)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Cu cat creste perioada unui semnal sinusoidal, cu atat scade pulsatia
Semnalele electrice unidimensionale pot fi doar continue
Inversul frecventei reprezinta perioada
Amplitudinea semnalului este o caracteristica atat pentru semnalele digitale cat si pentru cele analogice

Explicación

Pregunta 29 de 129

Pentru circuitul de mai jos, calculati caderile de tensiune si curentii prin rezistori. (1 rasp)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

UR1 = 5V, I1 = 1mA
UR2 = 15V, I2 = 2,5mA
UR3 = 5V, I3 = 1mA
UR1 = 10V, I1 = 1,5mA
UR2 = 10V, I2 = 1,2mA
UR3 = 10V, I3 = 2,5mA
UR1 = 6V, I1 = 1,25mA
UR2 = 10V, I2 = 0,75mA
UR3 = 4,5V, I3 = 3,2mA
UR1 = 10V, I1 = 1,66mA
UR2 = 10V, I2 = 1mA
UR3 = 10V, I3 = 2mA

Explicación

Pregunta 30 de 129

❌ ^-

Stabilizator cu reactie cu amplificator de eroare: (2 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Circuitul stabilizeaza tensiunea chiar daca RL isi modifica valoarea
Circuitul stabilizeaza tensiunea doar daca RL nu isi modifica valoarea
Stabilizarea este obtinuta prin reactie pozitiva
Stabilizarea este obtinuta prin reactie negativa

Explicación

Pregunta 31 de 129

❌ ^-

Bifati variantele corecte referitoare la impuls: (2 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Pentru a defini corect perioada impulsului, aceasta trebuie sa fie mai mica decat durata regimului tranzitoriu din circuit
Prin compunerea a 2 semnale de tip treapta se poate obtine un impuls
Pentru a defini corect perioada impulsului, aceasta trebuie sa fie mai mare decat durata regimului tranzitoriu din circuit
Timpul de ridicare a impulsului este acelasi cu timpul de coborare

Explicación

Pregunta 32 de 129

Circuitul din figura foloseste o poarta CMOS pentru a comanda un LED. Alegeti valoarea aproximativa a rezistentei RE stiind ca Vcc, care alimenteaza si circuitul integrat, este de 5V. Pentru LED se considera urmaotarele valori: VLED=1,35V si ILED=20mA. (1 rasp)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

120
50
1,6k
170
1k

Explicación

Pregunta 33 de 129

❌ ^-

Care dintre urmatoarele relatii sunt adevarate in cazul unui tranzistor bipolar aflat in regiunea activa normala? (2 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Ic = Ie+Ib
Ic = beta * Ib
Vbe = 0,2V
Ib= beta * Ie
Ie = Ic + Ib

Explicación

Pregunta 34 de 129

In imaginea de mai jos, ce valori logice trebuie aplicate pe intrarile A si B pentru a obtine la iesire '0' logic? (1 rasp)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

A=1, B=1
A=1, B=0
A=0, B=1
A=0, B=0

Explicación

Pregunta 35 de 129

❌ ^-

Care dintre urmatoarele relatii sunt adevarate in cazul unui tranzistor bipolar aflat in regiunea de saturatie? (2 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Vbe = 0,75v
Ie = Ic + Ib
Ic = Ie + Ib
Ic > beta * Ib
Vbe = 0.2V

Explicación

Pregunta 36 de 129

Care este rolul caracteristicii de histerezis? (1 rasp)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Mentine nivelul 1 logic la output indiferent de input
Defineste niveluri diferite la intrare pentru trecerea intre starile de 0 si 1 logic pentru a nu reactiona la variatii mici de tensiune
Mentine nivelul 0 logic la output indiferent de input
Se asigura ca trecerea intre starile 0 si 1 logic are loc la aceeasi tensiune de prag

Explicación

Pregunta 37 de 129

❌ ^-

Despre marginile de zgomot ale portii fundamentale SI-NU construita in tehnologie TTL, se pot afirma urmatoarele: (4 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Valoarea garantata a marginii de zgomot pentru 0 logic este de 0,4V
Valoarea garantata se calculeaza in functie de tensiunea prag
Valoarea garantata a marginii de zgomot pentru 0 logic este egala cu valoarea garantata a marginii de zgomot pentru 1 logic
Valoarea reala a marginii de zgomot pentru 0 logic depaseste valoarea garantata pentru aceeasi stare logica
Marginile garantate de zgomot explica preferinta ca starea de inalta impedanta a unui circuit logic sa fie comandata cu starea logica 1
Marginile reale de zgomot explica preferinta ca starea de inalta impedanta a unui circuit logic sa fie comandata cu starea logica 1

Explicación

Pregunta 38 de 129

In imaginea de mai jos, ce valori trebuie aplicate intrarilor A si I pentru ca tranzistorul Q1 sa se afle in regiunea activa inversa: (1 rasp)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

A=0V, I=5V
A=0V, I=0V
A=5V, I=5V
A=5V, I=0V

Explicación

Pregunta 39 de 129

Bifati varianta corecta, considerand circuitul de mai jos (1 rasp)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Tensiunile pe cei 3 condensatori vor fi intotdeauna egale
Capacitatea electrica pe intreg circuitul e data de suma capacitatilor condensatorilor
Tensiunea masurata pe un condensator poate sa fie cel mult egala cu tensiunea sursei
Pentru o buna functionare a circuitului, nu este necesar un alt element de circuit pe langa cei trei condensatori

Explicación

Pregunta 40 de 129

Factorul de calitate al circuitelor logice reprezinta .. (1 rasp)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Suma dintre timpii de propagare
Diferenta in modul dintre consumul de putere in regim static si dinamic
Raportul dintre consumul de putere si timpul de propagare
Produsul dintre timpul de propagare si consumul de putere

Explicación

Pregunta 41 de 129

❌ ^-

Se considera circuitul basculant din imagine. Selectati afirmatiile corecte. (2 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Bucla de reactie formata din tranzistorii T1 si T2 nu este niciodata intrerupta
Cresterea tensiunii in baza tranzistorului T1 duce la reducerea tensiunii in baza tranzistorului T2
Ambii tranzistori T1 si T2 se pot afla simultan in starea de saturatie
Divizorul rezistiv R-r transmite cresterea tensiunii Uc2 in baza tranzistorului T1
Cresterea curentului Ic1 duce la cresterea tensiunii Uc1

Explicación

Pregunta 42 de 129

Se considera circuitul basculant din imagine. Selectati afirmatia corecta. (1 rasp)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Capacitatea electrica a condensatorilor nu influenteaza viteza de basculare
Condensatorii incetinesc procesul de amplificare pentru a nu se supraincalzi circuitul
Capacitatea electrica a condensatorilor si viteza de basculare sunt direct proportionale
Pentru a duce tranzistorii in starile T1=saturat si T2=blocat, amplificarea din bucla de reactie trebuie sa fie subunitara

Explicación

Pregunta 43 de 129

❌ ^-

Despre factorul de incarcare al portii fundamentale SI-NU construita in tehnologie TTL, se pot afirma urmatoarele (2 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Factorul de incarcare la iesire pentru nivelul 0 logic este de 2 ori mai mic decat factorul de incarcare la iesire pentru nivelul 1 logic
Valoarea factorului de incarcare la iesire reprezinta numarul minim de porti care pot fi comandate de poarta SI-NU
Factorul de incarcare la iesire pentru nivelul 0 logic este mai mic ca 1
Factorul de incarcare la iesire se calculeaza pe baza curentilor de iesire ai portii care comanda si a curentilor de intrare ai portilor comandate
Pe baza factorului de incarcare, o poarta SI-NU implementata printr-un circuit TTL, poate comanda intre 10 si 20 de porti SI-NU de acelasi fel

Explicación

Pregunta 44 de 129

❌ ^-

Care din afirmatiile legate de consumul de putere in circuitele logice integrate sunt false? ( 2 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Puterea consumata in regim de comutatie este direct proportionala cu frecventa de comutare a circuitului logic
Curentul de iesire in scurtcircuit reprezinta un parametru caracteristic al consumului de putere
Puterea consumata in regim de comutatie este direct proportionala cu patratul tensiunii de alimentare
Puterea totala consumata reprezinta diferenta dintre puterea consumata in curent continuu si puterea consumata in regim de comutatie
Puterea consumata in curent continuu are o valoare mai mare decat puterea consumata in regim de comutatie

Explicación

Pregunta 45 de 129

❌ ^-

Considerant circuitul Trigger-Schmitt din imagine, selectati afirmatiile corecte: (2 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Scaderea diferentei de tensiune dintre Ui si Up determina scaderea diferentei de tensiune dintre Up si Ue
Ue are tot timpul o valoare mai mare decat Up
Dupa tranzitia portii P1 din 0->1 logic, Ue va avea o valoare mai mare decat Up
Dupa tranzitia portii P1 din 0->1 logic, Ue va avea o valoare mai mica decat Up

Explicación

Pregunta 46 de 129

❌ ^-

Selectati care dintre urmatoarele circuite sunt CNA (convertoare numeric analogice): (2 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Cu aproximatii succesive
Cu rezistente ponderate
Cu retea de rezistente R-2R
Cu simpla rampla

Explicación

Pregunta 47 de 129

❌ ^-

Despre factorul de incarcare al portii fundamentale SI-NU construita in tehnologie TTL, se pot afirma urmatoarele: (2 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Pe basza factorului de incarcare, o poarta SI-NU implementata in tehnologie TTL, poate comanda cel putin 20 de porti SI-NU de acelasi fel
Factorul de incarcare la intrare pentru nivelul 0 logic este mai mic ca 1
Valoarea factorului de incarcare la iesire reprezinta numarul maxim de porti care pot fi comandate de poarta SI-NU
Factorul de incarcare la intrare pentru nivelul 0 logic are aceeasi valoare ca factorul de incarcare la iesire pentru nivelul 0 logic
Factorul de incarcare la intrare se calculeaza pe baza curentilor de intrare

Explicación

Pregunta 48 de 129

❌ ^-

Cuplarea in paralel a iesirilor a 2 porti TTL sau CMOS, cu structura obisnuita, va rezulta in (2 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Nivelul de tensiune al iesirii comune poate fi folosit intr-un sistem digital
Functionarea corecta a uneia dintre cele 2 porti
Distrugerea ambelor porti sau a uneia dintre porti
Modificarea parametrilor portilor

Explicación

Pregunta 49 de 129

❌ ^-

Bifati variantele corecte referitoare la impuls: (2 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

La semnale digitale, daca factorul de umplere este de 50%, perioada reprezinta de 2 ori durata impulsului
Factorul de umplere este mereu jumatate din perioada
Pentru a defini corect perioada impulsului, durata regimului tranzitoriu din circuit trebuie sa fie mai mare decat aceasta
Pentru a defini corect perioada impulsului, durata regimului tranzitoriu din circuit trebuie sa fie mai mica decat aceasta

Explicación

Pregunta 50 de 129

❌ ^-

Se considera sistemul cu microcontroller 80C51 din figura. Care afirmatii sunt corecte? (4 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Sistemul are un port de intrare care poate fi citit prin intermediul unei variabile localizata la adresa C237H
Pentru activarea portului de intrare se foloseste selectia totala
Circuitul generator de tact este format exclusiv din componente externe microcontroller-ului
Sistemul are un port de iesire care poate fi scris prin intermediul unei variabile localizata la adresa A475H
Penutr activarea portului de intrare se foloseste selectia liniara
Circuitul generator de tact este format exclusiv din componente integrate in microcontroller
Sistemul are un port de iesire care poate fi scris prin itermediul unei variabile localizata la adresa 41B7H
Pentru activarea portului de intrare se foloseste selectia partiala
Sistemul are un port de intrare care poate fi citit prin intermediul unei variabile localizata la adresa E4A1H
Circuitul generator de tact este format atat din componente externe microcontroller-ului cat si din componente integrate in acesta

Explicación

Pregunta 51 de 129

❌ ^-

Care afirmatii sunt adevarate in cazul circuitelor de mmeorie bazate pe celula de memorie SRAM CMOS? (2 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Au nevoie de circuite de reimprospatare
Nu au nevoie de circuite de reimporspatare
Capacitatea de integrare este mai mica decat in cazul circuitelor DRAM
Au nevoie de circuite de comparare
Capacitatea de integrare este mai mare decat in cazul circuitelor DRAM

Explicación

Pregunta 52 de 129

❌ ^-

Marginile de imunitate la perturbatiile statice ale circuitelor logice integrate: (2 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Nu se pot calcula pentru ambele stari logice 0 si 1
Pentru starea logica 0, se calculeaza ca diferenta dintre nivelul de tensiune minim pentru 0 la iesire si cel minim pentru 1 la intrare
Se numesc si margini de zgomot
Pentru starea logica 0, se calculeaza ca diferenta dintre nivelul de tensiune maxim pentru 0 la intrare si cel maxim pentru 0 la iesire
Pentru starea logica 0, se calculeaza ca diferenta dintre nivelul de tensiune minim pentru 0 la intrare si cel maxim pentru 1 la intrare

Explicación

Pregunta 53 de 129

Se considera circuitul basculant de tip RS (RS flip-flop) din imagine. Selectati afirmatia corecta. (1 rasp)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Prin utilizarea condensatoarelor C1 si C2 se asigura ca diodele D1 si D2 vor primi pe catod doar semnale pozitive
In starea T1=saturat si T2=blocat, aplicarea unui impuls la intrarea S determina blocarea tranzistorului T1
Prin aplicarea unui impuls la intrarea S, circuitul R2C2 genereaza un semnal cu varf negativ de tensiune
Dioda D1 permite trecerea semnalelor aplicate pe catod daca tesniunea este pozitiva si suficient de mare

Explicación

Pregunta 54 de 129

❌ ^-

La interconectarea circuitelor logice: (2 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Factorul de incarcare al unei intrari este mai mic ca 1
Factorii de incarcare la intrare/iesire se definesc ca niveluri de tensiune din plaja admisa sau garantata
Valoarea curentului de iesire a circuitului de comanda trebuie sa fie cel putin egala cu suma curentilor de intrare ai circuitelor comandate
Factorul de incarcare al unei iesiri este definit ca minimul dintre factorii de incarcare ai iesirilor nivelurilor logice 0 si 1
Valoarea curentului de iesire a circuitului de comanda trebuie sa fie mai mic decat suma curentilor de intrare ai circuitelor comandate

Explicación

Pregunta 55 de 129

Se considera schema de principiu a unui circuit basculant. Selectati afirmatia corecta (1 rasp)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Rezistentele R si r formeaza un divizor de tensiune
Amplificatoarele A1 si A2 sunt legate in reactie negativa
Circuitul este asimetric
Circuitul este monostabil

Explicación

Pregunta 56 de 129

❌ ^-

Alegeti variantele de raspuns corecte in cazul circuitelor logice integrate CMOS (2 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Nivelurile ale semnalelor de iesire extrem de apropiate de valoarea tensiunii de alimentare pentru starea 0 logic
Posibilitatea ca in regim static numarul sarcinilor comandate sa fie foarte mare
Structuri metal-oxid-semiconductor cu simetrie necomplementara
Gama restransa a temperaturilor de functionare
Nivelurile ale semnalelor de iesire extrem de apropiate de 0 V pentru starea 1 logic
Consum extrem de redus

Explicación

Pregunta 57 de 129

Care este metoda uzuala de selectare a celulelor de memorie intr-un circuit integrat? (1 rasp)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Pe baza coincidentei selectiei pe orizontala si pe verticala
Pe baza unui circuit dedicat de generare de adrese
Pe baza liniei de chip select
Pe baza adresei trimisa pe liniile de date

Explicación

Pregunta 58 de 129

❌ ^-

Se considera circuitul basculant monostabil din imagine. Selectati afirmatiile corecte. (2 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Circuitul poate avea 2 stari, una stabila si una instabila
Tranzistorul T2 la saturatie, determina cresterea tensiunii in baza tranzistorului T1 prin descarcarea condensatorului C
Circuitul este simetric
Condensatorul C comanda blocarea tranzistorului T2 daca tensiunea UC1 scade rapid

Explicación

Pregunta 59 de 129

Dioda semiconductoare - la echilibrul termic: (1 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Curentul electric va trece cel mai bine prin semiconductor
Semiconductorul are rolul unei rezistente cu valoare mica (Ohm)
Curentul electric nu se va produce deloc prin semiconductor
Curentul electric va trece partial prin semiconductor

Explicación

Pregunta 60 de 129

❌ ^-

Caracteristicile amplificatoarelor operationale sunt: (3 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Impedanta de intrare foarte mare (ideal infinit)
Tensiunea de iesire nu este limitata de tensiunile de alimentare
Tensiunea intre intrari foarte mare (ideal infinit)
Curenti de intrare foarte mici (ideal 0)
Amplificarea sau castigul in tensiune (AV) foarte mic (ideal 0)
Tensiunea de iesire este limitata de tensiunile de alimentare
Impedanta de iesire foarte mare (ideal infinit)
Impedanta de intrare foarte mica (ideal 0)

Explicación

Pregunta 61 de 129

❌ ^-

Ce componente inglobeaza un microcontroller? (2 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Tastatura
Numaratoare
Sursa de alimentare
Ecran
Memorie

Explicación

Pregunta 62 de 129

❌ ^-

Roluri posibile ale unui circuit cu 3 stari sunt: (2 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

De aconecta mai multe surse de date la aceeasi magistrala
Driver de magistrala
Decodificarea adreselor de pe magistrala de adrese
Poarta NU pentru intrarile Chip Select ale circuitelor integrate

Explicación

Pregunta 63 de 129

Care magistrala este bidirectionala? (1 rasp)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Nici un raspuns
Magistrala de adrese si cea de date
Magistrala de date
Magistrala de adrese

Explicación

Pregunta 64 de 129

❌ ^-

Care afirmatii sunt adevarate in cazul circuitelor de memorie bazate pe celula de memorie SRAM CMOS? (2 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Au nevoie de circuite de comparare
Capacitatea de integrare este mai mica decat in cazul circuitelor DRAM
Au nevoie de circuite de reimporspatare
Capacitatea de integrare este mai mare decat in cazul circuitelor DRAM
Nu au nevoie de circuite de reimporspatare

Explicación

Pregunta 65 de 129

Timpul de comutare directa este: (1 rasp)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Timpul necesar comutarii unui tranzistor din starea de conductie in starea de blocare
Timpul necesar comutarii unui tranzistor din starea normala in stare inversa
Timpul necesar comutarii unui tranzistor din starea de blocare in starea de conductie

Explicación

Pregunta 66 de 129

❌ ^-

Se considera stabilizatorul cu reactie fara amplificator de eroare din figura, pentru care dioda Zener are tensiunea de prag egala cu 5.6V si Vout reprezinta tensiunea de iesire: (2 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Daca pe Vout masuram 4.9V, tensiunea VBE va fi 5.5V
Daca pe Vout masuram 5.0V, tensiunea VBE va fi 0.6V
Circuitul stabilizeaza tensiunea chiar daca RL isi modifica valoarea
Daca pe VBE masuram 0.5V, tensiunea Vout va fi 5.0V
Circuitul stabilizeaza tensiunea doar daca RL nu isi modifica valoarea

Explicación

Pregunta 67 de 129

❌ ^-

TREBUIE PUS AL 4-LEA RASPUNS!!!!!!!!!! Se considera sistemul cu microcontroller 80C51 din figura. Care afirmatii sunt corecte? (4 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Stim ca pentru IOH=10mA, circuitul 4511 are VOHtyp=4.25V. Pentru ca VLED=2V si ILED=10mA, valoarea aproximativa a rezistentei RL prin care este comandat LED-ul va fi de 225Ω
Stim ca pentru IOH=10mA, circuitul 4511 are VOHtyp=4.25V. Pentru ca VLED=2V si ILED=10mA, valoarea aproximativa a rezistentei RL prin care este comandat LED-ul va fi de 100Ω
Microcontrollerul foloseste doar memoria externa de program
Stim ca pentru IOH=10mA, circuitul 4511 are VOHtyp=4.25V. Pentru ca VLED=2V si ILED=10mA, valoarea aproximativa a rezistentei RL prin care este comandat LED-ul va fi de 335Ω
Microcontrollerul foloseste doar memoria interna de program
Sistemul are un port de iesire care poate fi scris prin intermediul unei variabile localizata la adresa A705H
Circuitul generator de tact este format atat din componente externe microcontroller-ului cat si din componente integrate in acesta
Microcontrollerul nu foloseste memorie de program
Sistemul are un port de iesire care poate fi scris prin intermediul unei variabile localizata la adresa 3A20H
Circuitul generator de tact este format exclusiv din componente integrate in microcontroller

Explicación

Pregunta 68 de 129

❌ ^-

TREBUIE PUS AL 4-LEA RASP !!!!!!!! Se considera sistemul cu microcontroller 80C51 din figura. Care afirmatii sunt corecte? (4 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Stim ca pentru IOH=10mA, circuitul 4511 are VOHtyp=4.25V. Pentru ca VLED=1.2V si ILED=10mA, valoarea aproximativa a rezistentei RL prin care este comandat LED-ul va fi de 305Ω
Circuitul generator de tact este format exclusiv din componente externe microcontroller-ului
Rutina de tratare a intreruperii corespunzatoare intreruperii externe 0 trebuie sa rezolve problema salturilor de tensiune la apasarea tastei
Sistemul are un port de iesire care poate fi scris prin intermediul unei variabile localizata la adresa 645BH
Rutina de tratare a intreruperii corespunzatoare interuperii externe 0 nu trebuie sa rezolve problema salturilor de tensiune la apasarea tastei
Circuitul generator de tact este format atat din componente externe microcontroller-ului cat si din componente integrate in acesta
Stim ca pentru IOH=10mA, circuitul 4511 are VOHtyp=4.25V. Pentru ca VLED=1.2V si ILED=10mA, valoarea aproximativa a rezistentei RL prin care este comandat LED-ul va fi de 105Ω
Stim ca pentru IOH=10mA, circuitul 4511 are VOHtyp=4.25V. Pentru ca VLED=1.2V si ILED=10mA, valoarea aproximativa a rezistentei RL prin care este comandat LED-ul va fi de 440Ω
Sistemul are un port de iesire care poate fi scris prin intermediul unei variabile localizata la adresa AC20H
Circuitul generator de tact este format exclusiv din componente integrate in microcontroller

Explicación

Pregunta 69 de 129

❌ ^-

In cazul unui oscilator cu punte Wien: (2 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Semnalele de comanda sunt dreptunghiulare
Bucla de reactie negativa determina frecventa de oscilatie
Bucla de reactie pozitiva permite aparitia si cresterea amplitudinii oscilatiilor
Bucla de reactie negativa permite aparitia si cresterea amplitudinii oscilatiilor
Bucla de reactie pozitiva determina frecventa de oscilatie

Explicación

Pregunta 70 de 129

La memoriile CAM semnalele de matching ... (1 rasp)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Sunt inscrise in memorie in locul datelor existente
Starea 1 logic indica faptul ca niciun bit memorat nu corespunde cu bitul cautat
Starea 0 logic indica faptul ca un bit memorat corespunde cu bitul cautat
Indica daca s-a gasit corespondenta intre cuvantul cautat si cel memorat

Explicación

Pregunta 71 de 129

Daca in cadrul executiei unei intreruperi se activeaza o a 2-a intrerupere ( cu un nivel de prioritate diferit), care este comportamentul microcontroller-ului? (1 rasp)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Se continua executia intreruperii curente, indiferent de nivelul de prioritate al celor 2 intreruperi
Se executa intotdeauna intreruperea cu prioritate mai mare
Se executa intotdeauna cea mai noua intrerupere
Se executa intreruperea cu prioritate mai mare, doar daca acestea sunt declansate simultan, altfel se continua executia intreruperii curente

Explicación

Pregunta 72 de 129

❌ ^-

Caracteristica statica de transfer a inversorului CMOS ... (3 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Depinde de tensiunea de prag a tranzistorului Mp
Depinde de frecventa maxima la care poate opera circuitul
Depinde de tensiunea de alimentare
Depinde de viteza cu care intrarea trece din starea logica 0 in starea logica 1
Depinde de tensiunea de prag a tranzistorului Mn
Depinde de numarul de porti comandate de inversor

Explicación

Pregunta 73 de 129

❌ ^-

Microcontrollerele din familia 8051 pot utiliza interfata seriala UART in urmatoarele moduri: (2 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Rata Baud fixa
Rata Baud variabila generata de un numarator (timer)
Rata Baud citita printr-un terminal
Rata Baud inscrisa in memorie

Explicación

Pregunta 74 de 129

Ce sunt diodele luminiscente? (1 rasp)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Diode care la polarizarea directa, electronii din regiunea n se recombina cu golurile din regiunea p si eliberea energie sub forma de lumina si caldura
Diode care la polarizarea inversa din regiunea n elibereaza energie sub forma de lumina si caldura
Sunt diode care care permit trecerea curentului in ambele sensuri si au rolul de a creste rezistenta circuitului

Explicación

Pregunta 75 de 129

Bifati varianta corecta referitoare la filtrele trece sus si trece jos (1 rasp)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Filtrul trece sus atenueaza frecventele joase si altereaza mai putin frecventele inalte
La ambele filtre, distorsiunile introduse de circuit asupra semnalului de intrare pot fi reduse daca constata de timp RC este mai mare decat durata impulsului
Raportul de divizare depinde de frecventa doar in cazul filtrului trece sus
Reactanta capacitiva a condensatorului scade odata cu cresterea perioadei

Explicación

Pregunta 76 de 129

❌ ^-

Cuplarea in paralel a iesirilor a 2 porti TTL sau CMOS, cu structura obisnuita, va rezulta in: (2 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Nivelul de tensiune al iesirii comune poate fi folosit intr-un sistem digital
Functionarea corecta a unei dintre cele 2 porti
Distrugerea ambelor porti sau a uneia dintre porti
Modificarea parametrilor portilor

Explicación

Pregunta 77 de 129

Ce se intampla atunci cand se depaseste tensiunea de prag Vt la un tranzistor NMOS? (1 rasp)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Concentratia de electroni din zona canalului dintre drena si substrat va depasi concentratia de goluri si atunci regiunea isi va schimba tipul, din tip p in tip n
Concentratia de electroni din zona canalului dintre drena si sursa va depasi concentratia de goluri si atunci regiunea isi va schimba tipul, din tip n in tip p
Concentratia de electroni din zona canalului dintre drena si sursa va depasi concentratia de goluri si atunci regiunea isi va schimba tipul, din tip p in tip n

Explicación

Pregunta 78 de 129

❌ ^-

Caracteristicile amplificatoarelor operationale sunt: (3 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Curenti de intrare foarte mici (ideal 0)
Amplificarea sau castigul in tensiune (AV) foarte mic (ideal 0)
Impedanta de intrare foarte mare (ideal infinit)
Impedanta de iesire foarte mare (ideal infinit)
Impedanta de intrare foarte mica (ideal 0)
Tensiunea de iesire este limitata de tensiunile de aliemntare
Tensiunea de iesire nu este limitata de tensiunile de alimentare
Tensiunea intre intrari foarte mare (ideal infinit)

Explicación

Pregunta 79 de 129

Despre curentii portii fundamentale SI-NU construita in tehnologie TTL, se pot afirma urmatoarele: (1 rasp)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Poarta genereaza curent la intrare cand este comandata cu nivel 0 logic
Poarta nu poate absorbi curent la iesire
Poarta genereaza curent la iesire cand comanda cu nivel 0 logic
Poarta absoarbe curent la intrare cand este comandata cu nivel 0 logic
Poarta absoarbe curent la iesire cand comanda cu nivel 1 logic

Explicación

Pregunta 80 de 129

❌ ^-

Despre circuitele logice integrate se pot afirma urmatoarele: (2 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

In cazul unei bune functionari, nivelurile de tensiune la iesire se incadreaza in plaja garantata
Caracteristica statica de transfer este definita de aceleasi valori de tensiuni pentru oricare dintre oricare dintre nivelurile logice 0 sau 1
Pentru buna functionare, nivelurile de tensiune la iesire se incadreaza in plaja admisa
Pentru buna functionare, nivelurile de tensiune aplicate la intrare se incadreaza in plaja admisa
Zona de functionare normala, in absenta semnalelor perturbatoare, are valori ale tensiunilor de intrare mai mari decat VILmax, pentru nivelul inferior de tensiune (L)

Explicación

Pregunta 81 de 129

Considerand circuitul Trigger-Schmitt din imagine, selectati afirmatiile corecte: (1 rasp)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Up are tot timpul o valoare mai mare decat Ue
Dupa tranzitia portii P1 din 0->1 logic, diferenta dintre Ue si Up va scadea pe masura ce creste Ui
Dupa tranzitia portii P1 din 0->1 logic, Ue va avea o valoare egala cu Up
Dupa tranzitia portii P1 din 0->1 logic, diferenta ditnre Ue si Up va creste pe masura ce creste Ui

Explicación

Pregunta 82 de 129

In redresorul monoalternanta avem: (1 rasp)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

2 diode deschise doar in alternantele negative
2 diode deschise doar in alternantele pozitive
1 dioda deschisa in alternantele pozitive
1 dioda, 1 condensator si 1 rezistenta

Explicación

Pregunta 83 de 129

❌ ^-

Bifati variantele corecte, considerand circuitul de mai jos: (2 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Cu cat e mai mica capacitatea electrica a unuia dintre condensatori, cu atat acesta va putea inmagazina mai multa sarcina electrica
In momentul in care circuitul se inchide si condensatorii ajung la tensiunea sursei de tensiune, nu mai trece curentul prin circuit
Daca circuitul este inchis, caderea de tensiune de pe fiecare condensator depinde de capacitatea acestuia
Capacitatea electrica pe intreg circuitul e data de suma capacitatilor condensatoarelor

Explicación

Pregunta 84 de 129

❌ ^-

Despre nivelurile logice ale portii fundamentale SI-NU construita in tehnologie TTL, se pot afirma urmatoarele: (2 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Pentru a genera 1 logic, tensiunea minim acceptata la iesire este de 2V
Pentru a fi comandata cu 1 logic, tensiunea minim acceptata la intrare este 2.4V
Tensiunea maxim acceptata la iesire pentru a genera 0 logic este de 2 ori mai mare decat tensiunea maxim acceptata la intrare pentru a fi comandata cu 0 logic
Tensiunea minim acceptata la iesire pentru a genera 1 logic este mai mare decat tensiunea minim acceptata la intrare pentru a fi comandata cu 1 logic
Tensiunea la care tensiunile de intrare si iesire sunt egale se numeste tensiune prag

Explicación

Pregunta 85 de 129

❌ ^-

Intr-o sursa de tensiune continua, transformatorul ... (2 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Modifica in secundar forma de unda din primar
Genereaza o tensiune cat mai apropiata de tensiunea continua
Atenueaza variatiile de tensiune furnizate de redresor
Poate scadea sau creste in secundar valoarea tensiunii din primar
Separa aparatul de reteaua de curent alternativ

Explicación

Pregunta 86 de 129

❌ ^-

Care sunt avantajele folosirii tranzistoarelor MOS? (2 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Actiune rapida a regiunii de saturatie
Densitate de integrare mai mare
Folosirea ca rezistenta intre sursa si drena, rezistenta activa, faciliteaza cresterea factorului de integrare
Mai usor de programat in VHDL

Explicación

Pregunta 87 de 129

❌ ^-

Care sunt problemele potentiale care pot fi evitate prin indeplinirea criteriului Nyquist?

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Refacerea eronata a semnalului analogic original
Deghizarea
AICI NU STIU RASPUNSURILE CELELALTE, ALEA 2 IS CORECTE

Explicación

Pregunta 88 de 129

Caracteristicile amplificatoarelor operationale sunt:

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Amplificarea sau catigul in tensiune (AV) foarte mare (ideal infinit)
Impedanta de iesire foarte mica (ideal 0)
Tensiune intre intrari foarte mica (ideal 0)
TOATE 3 IS CORECTE, CELELALTE RASPUNSURI GRESITE NU LE CUNOSC!!!!

Explicación

Pregunta 89 de 129

Care sunt avantajele folosirii tranzistoarelor MOS?

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Fabricate mai usor decat tranzistoarele bipolare
Impedanta de intrare mare, curent de comanda mic
CELELALTE 2 IS CORECTE, NU STIU RASP GRESITE!!!!

Explicación

Pregunta 90 de 129

Daca pentru digitalizarea unui semnal se folosesc N biti, cate nivele logice se obtin?

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

2^N
NU STIU CELELALTE RASP!!!

Explicación

Pregunta 91 de 129

Un semnal analogic cu frecventa de 60MHz este convertit in semnal digital. Care este frecventa minima cu care trebuie esantionat acest semnal?

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

120MHz
Rasp gresite nu stiu!!!

Explicación

Pregunta 92 de 129

La tranzistorul NMOS aflat in regiunea de saturare stim ca:

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

0 <= Vgs - Vt <= Vds
NU STIU ALTE RASP!!

Explicación

Pregunta 93 de 129

Circuitul de esantionare si retinere se bazeaza pe: (1 rasp)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

O capacitate de retinere care mentine valoarea semnalului pana la urmatoarea esantionare
NU STIU RASP GRESITEEE!!!!

Explicación

Pregunta 94 de 129

Avand urmatorul amplificator cu casting constant cu Vin=+5V, R1 = 1kO, R2=3kO, tensiunea Vout va fi:

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

-15V
Nu STIU RASP GRESITE!

Explicación

Pregunta 95 de 129

Selectati componentele din schema fundamentala a unui circuit Trigger-Schmitt (2 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Bucla de reactie pozitiva
Comparator
NU STIU RASP GRESITE!@!!!!

Explicación

Pregunta 96 de 129

In imaginile de mai jos, diodele D1 si D2: (1 rasp)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Protejeaza intrarile circuitului impotriva tensiunilor negative
!!! NU STIU RASP GRESITE!!!

Explicación

Pregunta 97 de 129

Pentru circuitul de mai jos, calculati caderile de tensiune si curentii prin rezistori:

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

UR1 = 5V, I1 = 1.25mA
UR2 = 5V, I2 = 1mA
UR3 = 5V, I3 = 2.5mA
NU STIU RASP GRESITE!!!!!

Explicación

Pregunta 98 de 129

Intr-o sursa de tensiune continua, filtrul ...

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Atenueaza variatiile de tensiune de la iesirea redresorului
!! NU STIU RASP GRESITE !!

Explicación

Pregunta 99 de 129

Criteriul Nyquist afirma ca, pentru refacerea corecta a semnalului analogic, rata de esantionare trebuie sa fie de cel putin X ori frecventa semnalului esantionat, unde X este:

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

2
!! NU STIU RASP GRESITE !!

Explicación

Pregunta 100 de 129

Intr-o sursa de tensiune continua, stabilizatorul ...

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Genereaza o tensiune cat mai apropiata de tensiunea continua
!! NU STIU RASP GRESITE !!

Explicación

Pregunta 101 de 129

In imaginea de mai jos, pentru o valoare a intrarii A echivalenta cu "1" logic si a intrarii I (i mare) echivalenta tot cu "0" logic, tranzistorul Q2 va fi: (alegeti 1 raspuns)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

In regiunea de blocare
In regiunea de saturatie
In regiunea activa normala
In regiunea activa inversa

Explicación

Pregunta 102 de 129

Printre consecintele caracteristicii de histerezis din circuitele Trigger-Schmitt se numara urmatoarele:

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Sensibilitate redusa la semnalele de zgomot, astfel incat sa nu se favorizeze tranzitia intre starile 0 si 1 logic
Efectuarea rapida a tranzitiilor intre starile 0 si 1 logic
NU STIU RASP GRESITE

Explicación

Pregunta 103 de 129

Circuitele logice NMOS sunt...

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Alimentate de la o singura sursa de tensiune
NU STIU RASP GRESITE!!!

Explicación

Pregunta 104 de 129

La tranzistorul NMOS aflat in regiunea liniara (de trioda) stim ca:

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Vds<= Vgs-Vt
0<= Vgs-Vt
NU STIU RASP GRESITE!!!

Explicación

Pregunta 105 de 129

Cate porti TTL standard pot fi comandate cu o poarta HCT, cunoscandu-se urmatoarele: IOL(HCT)=4mA, IOH(HCT) = 4mA, ILL(TTL) = 1.6mA, IIH(TTL) = 0.04mA

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

2
NU STIU RASP GRESITE

Explicación

Pregunta 106 de 129

Despre circuitul de intarziere din imagine se pot afirma urmatoarele:

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Intarzierea circuitului depinde de constanta de timp RC
+1 MAI ERA INCA CEVA DAR NU STIM!!!

Explicación

Pregunta 107 de 129

Care afirmatii sunt adevarate in cazul circuitelor de memorie EEPROM?

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Nu nevoie de circuite de reimprospatare
Operatia de stergere este electrica
NU STIU RASP GRESITE

Explicación

Pregunta 108 de 129

Un amplificator operational are:

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Doua intrari, una Inversoare(IN-) si una neinversoare(IN+) si o iesite (OUT)
Alimentare cu tensiune continua
NU STIU RASP GRESITEEE

Explicación

Pregunta 109 de 129

La un amplificator operational reactia de negative:

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Reprezinta o parte din semnalul de iesire aplicat print-un circuit pe intrarea inversoare(IN-)
NU STIU RASP GREISTEE!!

Explicación

Pregunta 110 de 129

Care sunt metodele de programare a memoriilor PROM?

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Strapungerea sau nu a unui fuzibil
Realizarea unei cai conductive catre un electrod nerealizat inaintea programarii
NU STIU RASP GRESITEE!!

Explicación

Pregunta 111 de 129

Nivelele logice (0,1) ale circuitelor NMOS depind de

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Tensiunea de alimentare
NU STIU RASP GRESITEEE!!!

Explicación

Pregunta 112 de 129

Avand urmatorul amplificator sumator cu VIN1=-2V, VIN2=-3V, VIN3=-1V, R11=1kO, R12=2Ko, R13=2kO, R2=4kO tensiunea Vout va fi:

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

+16V
NU STIU RASP GRESITE!!

Explicación

Pregunta 113 de 129

Care informatii sunt adevarate in cazul circuitelor de memorie EEPROM?

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Nu necesita un ciclu suplimentar de reimprospatare
Informatia este stocata intr-un dispozitiv MOS cu stocare de sarcina si poarta flotanta
NU STIU RASP GRESITEE!!!

Explicación

Pregunta 114 de 129

Stabilizatorul cu reactive cu amplificator de eroare:

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Se stabilizeaza tensiunea
+1 INCA UNA CORECTA
NU STIU RASP GRESITE

Explicación

Pregunta 115 de 129

Pentru ciclul de citire al memoriilor RAM, care sunt primele linii activate?

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

De adrese
NU STIU RASP GRESITE

Explicación

Pregunta 116 de 129

Intr-o sursa de tensiune continua, redresorul ..

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Transforma tensiunea alternativa intr-o forma de unda a carei valoare medie este diferita de 0
NU STIU RASP GRESITE

Explicación

Pregunta 117 de 129

Activarea porturilor prin selectie totala, data fiind adresa acestora, se face astfel

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Liniile magistralei de adresa se conecteaza la circuite de decodificare ale caror iesiri se leaga la pinii de activare ai porturilor
NU STIU RASP GRESITE

Explicación

Pregunta 118 de 129

Un CAN pe 8 biti cuantifica un semnal analogic intre limitele 0V si 5V. Care este pasul de cuantificare (aproximativ)?

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

0.019V
NU STIU RASP GRESITE

Explicación

Pregunta 119 de 129

Circuitele NMOS sunt mai folosite decat cele PMOS datorita

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Viteza de comutatie superioara
NU STIU RASP GRESITE

Explicación

Pregunta 120 de 129

Timpul de comutare inversa este:

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Timpul necesar comutarii unui tranzistor din starea de conductie in starea de blocare
NU STIU RASP GRESITE

Explicación

Pregunta 121 de 129

Din cate circuite de memorie 10248 se obtine un bloc de memorie avand capacitatea de 1638432?

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

64
NU STIU RASP GRESITE!!!

Explicación

Pregunta 122 de 129

Avand urmatorul amplificator sumator cu VIN1=+5V, VIN2=+3V, R11=2kO, R12=3kO, R2=6kO tensiunea Vout va fi

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

-21V
NU STIU RASP GRESITE!!!

Explicación

Pregunta 123 de 129

Bifati informatiile corecte referitoare la tensiune (2 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Fara tensiune, nu avem flux de electroni in circuit
Tensiunea si curentul electric sunt direct proportionale
NU STIU RASP GRESITE!!

Explicación

Pregunta 124 de 129

Bifati raspunsurile corecte referitoare la condensatori (2 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Cantitatea de sarcina electrica stocaat pe cele 2 armaturi e direct proportionala cu capacitatea electrica a condensatorului
Curentul electric pe condensator depinde de capacitatea electrica a acestuia
NU STIU RASP GRESITE

Explicación

Pregunta 125 de 129

O valoare mai mica a rezistentei externe Rc la circuitele Open-collector (OC) inseamna: (1 rasp)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Un consum mai mare si o viteza mai mare pentru sistem
NU STIU RASP GRESITE

Explicación

Pregunta 126 de 129

Bifati raspunsurile corecte referitoare la circuitele electrice:

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Intr-un circuit deschis, nu avem diferenta de potential
Intr-un circuit inchis, diferenta de potential masurata la capetele unui rezistor cu valoare de 0 Ohmi este 0
Ambele alea is bune cred???? NU STIU RASP GRESITE!!!

Explicación

Pregunta 127 de 129

Bifati varianta corecta referitoare la filtrele trece sus si trece jos:

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Daca aplicam un semnal sinusoidal la oricare dintre cele 2 filtre, raspunsul este tot sinusoidal, doar atenuat si defazat
NU STIU RASP GREISTE!!!!

Explicación

Pregunta 128 de 129

Considerand valorile iesirilor din imaginea de mai jois, este adevarat ca:

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Circuitul este in pericol de a se arde
Nu stiu rasp gresite!!

Explicación

Pregunta 129 de 129

Selectati afirmatia corecta despre oscilatorul comandat cu Trigger-Schmitt din imagine: (1 rasp)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Daca semnalul de comanda Ui are valoarea 1 logic, circuitul va avea comportament de oscilator
nu stiu rasp GRESITE

Explicación

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	Creado por tib bos hace 10 meses

Test sobre Examen CAN, creado por tib bos el 07/02/2024.

Examen CAN

Pregunta 1 de 129

Considerand circuitul Trigger-Schmitt din imagine, care sunt factorii care determina intervalul de histerezis? (alegeti 2 raspunsuri)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Explicación

Pregunta 2 de 129

Nivelele logice (0,1) ale circuitelor NMOS depind de ... (alegeti 1 raspuns)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Explicación

Pregunta 3 de 129

In imaginea de mai jos, pentru o valoare a intrarii A echivalenta cu "1" logic si a intrarii I (i mare) echivalenta tot cu "1" logic, tranzistorul Q2 va fi: (alegeti 1 raspuns)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Explicación

Pregunta 4 de 129

Se considera circuitul basculant monostabil din imagine realizat cu porti TTL. Selectati afirmatiile corecte. (alegeti 3 raspunsuri)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Explicación

Pregunta 5 de 129

Principalele tipuri de CAN includ: (alegeti 1 raspuns)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Explicación

Pregunta 6 de 129

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Explicación

Pregunta 7 de 129

Bifati varianta/variantele corecte, considerand circuitul de mai jos: (alegeti 2 raspunsuri)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Explicación

Pregunta 8 de 129

Pentru a filtra si stabiliza semnalul tensiunii de pe iesirea redresorului cu dubla alternanta avem nevoie de: (alegeti 2 raspunsuri)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Explicación

Pregunta 9 de 129

Procesul de adaugare de impuritati in semiconductoare pentru a schimba comportamentul acestor tipuri de materiale se numeste: (alegeti 1 raspuns)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Explicación

Pregunta 10 de 129

Care afirmatii sunt adevarate in cazul circuitelor de memorie bazate pe celula de memorie DRAM MOS cu un tranzistor? (alegeti 2 raspunsuri)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Explicación

Pregunta 11 de 129

Care afirmatii sunt adevarate in cazul circuitelor de memorie bazate pe celula de memorie DRAM MOS cu un tranzistor? (alegeti 2 raspunsuri)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Explicación

Pregunta 12 de 129

Se considera ciruitul basculant astabil din imagine. Selectati afirmatiile corecte (alegeti 2 raspunsuri)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Explicación

Pregunta 13 de 129

Cate impulsuri de tact (aproximativ) trebuie sa treaca pentru fiecare bit, in cadrul unei transmisii seriale (e.g. UART), daca se utilizeaza un oscilator de frecventa de 12MHz si se doreste obtinerea unei rate Baud de 115200 biti pe secunda? (selectati 1 raspuns)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

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Pregunta 14 de 129

Care afirmatii sunt adevarate in cazul circuitelor de memorie bazate pe celula de memorie SRAM CMOS (alegeti 2 raspunsuri)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

Explicación

Pregunta 15 de 129

La dispozitivele de cautare hardware CAM codificatorul (alegeti 1 raspuns)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Explicación

Pregunta 16 de 129

Pe fronturile de comutatie ale circuitelor integrate CMOS, puterea disipată ... (alegeti 1 raspuns)

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Explicación

Pregunta 17 de 129

Considerand valorile iesirilor din imaginea de mai jos, este adevarat ca: (alegeti 1 raspuns)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

Explicación

Pregunta 18 de 129

Pentru circuitul de mai jos, calculati caderile de tensiune si curentii prin rezistori: (alegeti 1 raspuns)

Selecciona una de las siguientes respuestas posibles:

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Pregunta 19 de 129

Despre timpii de propagare in circuitele logice integrate, se pot afirma urmatoarele: (2 rasp)

Selecciona una o más de las siguientes respuestas posibles:

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Pregunta 20 de 129

Pentru asigurarea unui curent de mare iesire, driverul 4511 are prevazut la iesire un : (1 rasp)

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Din cate circuite de memorie 5128 se obtine un bloc de memorie avand capacitatea de 1638432 ? (1 rasp)