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Caracterización de Materiales
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materiales
física
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jhon sencia
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jhon sencia
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Caracterización de Materiales
Obtención y preparación de obleas de Si
Purificación
1º “silicio de grado metalúrgico”
refinar el SiO2 químicamente.
2º “silicio de grado electrónico”
puro
procesado químico
Crecimiento
material orientado y cristalino
lingotes
solidificación de átomos de una fase líquida
Czochralski (CZ)
velocidades de crecimiento de 50-100mm/hr
cristal cilíndrico
transformación desde un líquido (fundente) al sólido (cristal)
mezcla fundida
semilla del semiconductor
diámetro de los lingotes
coste
Contaminación
añadirse las impurezas
segregación de dopantes
Floating Zone, FZ
purificar
cambio en la concentración de las impurezas
zona flotante
cristales más puros
monocristal
atmósfera inerte
refinado por zonas
ventajas
El Si no está en contacto con ningún crisol,
mayor pureza mas alta
múltiple repetición del proceso
Dip Coating
Inmersión
Deposición
Drenaje (escurrimiento)
Evaporación
Aplicaciones
Sensores de gas
Propiedades de Reflexión
Adhesión Celular
Ventajas
Espesor (velocidad, concentración)
Temperatura
No Corrosivos
Dureza
Resistencia
Desventajas
Obtención de GaAs
Ga
escaso
As
abundante
dos procesos
Método horizontal de Bridgman.
vacío y precintado
dos regiones diferentes
barquilla de cuarzo GA y As
policristalino
LECz.
capa de líquido inerte:
óxido bórico
químicamente estable
presión de vapor baja
transparente ópticamente
Tecnología y fabricación de CIs
Crecimiento, Preparación y Caracterización de Materiales Electrónicos
Crecimiento epitaxial de capas
Formación de Capas Aislantes y Conductoras
Procesos de dopado en Semiconductores
Procesos de grabado y litografía
Pruebas de test
Montaje y empaquetado
Silicio vs GaAs
Ventajas del Si
barato
99.9999% pureza
semiconductor elemental
óxido propio
Ventajas del GaAs
aplicaciones optoelectrónicas
movilidad y velocidad de electrones
fabricación de sustratos semiaislantes
dispositivos de heterounión
Preparación de las obleas de Si y GaAs
ACABADO
CORTADO
PULIDO
CARACTERIZACIÓN
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