Estructuras verticales de transistores de potencia
Estructura de orientacion vertical de
cuatro capas de dopaje alternante
de tipo p y tipo n
Característica I-V
La región de arrastre determina la
especificacion de la tension de
bloqueo del BJT y tambien causa la
zona llamada cuasisaturacion de la
caracteristica I-V
Física de operación Bjt
mecanismos de ganancia Basica Y beta
bJT es un dispositivo que por lo general esta apagado y se
enciende mediante la aplicacion de una corriente de base
lo bastante grande para causar la inyeccion de grandes
cantidades de portadores minoritarios en la base desde la
zona del emisor
Tienen una baja ganancia
de corriente, en especial con
especificaciones de
tensiones de ruptura
grande.
se desarrollo el transistor darlington,
los cuales tienen mayores ganacia de
corriente.
El flujo lateral de la corriente en
la base es el factor limitante
basico en el desempeño del BJT.
La modulacion pesada de conductividad de la region
de arrastre a finde reducir perdidas en estado activo
requiere largos tiempos de vida de los portadores.
genera largos tiempos de apagado
El apagado de algunos tipos de BJT se debe realizarpor
medio de un indice controlado de cambio de la base
negativa a fin de evitar el aislamiento de carga excesiva
almacenada en el BJT.
Los SOA del BJT estan limitadospor la segunda ruptura
RBSOA suele ser el factor limitante
Los BJT con soa limitados pueden requerir una trayectoria de
commutacion controlada por circuitos de amoriguadores tanto
durante el encendido como en el apagado