MAPA MENTAL MEMORIA RAM, ROM Y CACHE

1. SDRAM
   1. Memoria estática de acceso aleatorio
   2. mantiene los datos mientras tenga alimentación sin necesidad de refresco
   3. mas rápida, menor consumo, mas cara que la DRAM
2. DRAM
   1. Empleada comúnmente como modulo de RAM.
   2. requiere refresco para mantener un dato almacenado
   3. sin fuente de energía pierde los datos
   4. memorias que nacen a partir de las DRAM
      1. SDRAM: puede funcionar a la misma velocidad que la main board
         1. pc100 fue un estándar publicado por Intel
      2. RDRAM: una de las memorias mas costosas
         1. trabaja a una velocidad mayor que la SDRAM

1. SIMM
   1. placa circuito impreso donde se montan los integrados
   2. se insertan sobre sócalos de la main board
   3. hay 2 versiones:
      1. SIMM de 30 terminales,manejo de 8 bits, mide 8.96cm de largo por 1.92cm de alto, tiempo de respuesta de 60nsg
      2. sIMM de 72 terminales,, menjo de 32 bits, mide 10.88cm de largo por 2.54cm de alto, tiempo de respuesta 40nsg
   4. SIMM 30 terminales 256 KB, 512 KB, 1 MB, 2 MB, 4 MB, 8, SIMM 72 terminales 4 MB, 8 MB, 16 MB, 32 MB, 64 MB
2. DIMM
   1. contactos independientes en las dos caras, DIMM-SDRAM 168 terminales, latencia promedio CAS 3, tiempo de respuesta 12nsg, 10nsg, 8nsg
   2. hay 2 versiones
      1. DIMM - SDRAM 168 terminales PC100, DIMM - SDRAM 168 terminales PC133
   3. DIMM - SDRAM 168 terminales PC100 capacidad 32 MB, 64 MB, 128 MB, 256 MB, 512 MB, DIMM - SDRAM 168 terminales PC133 capacidad 32 MB, 64 MB, 128 MB, 256 MB, 512 MB
3. RIMM
   1. requieren difusor de calor, mayor rendimiento, deben ir por pares no funciona solo si coloca solamente un modulo de memoria
   2. Todos las memorias RIMM cuentan con 184 terminales, permite el manejo de 16 bits.
   3. RIMM 184 terminales latencia promedio CAS 4 y 5, teimpo de respuesta 40nsg aproximadamente
   4. RIMM 184 terminales 64 MB, 128 MB, 256 MB
4. RAM- DDR
   1. DDR-SDRAM–184 Contactos. DDR2-SDRAM–240 Contactos. DDR3-SDRAM–240 Contactos. DDR4.SDRAM –288 Contactos.
      1. DDR PC2100 tempo de respuesta 7.5 nsg. latencia 2.5 DDR PC2700 teimpo de respuesta 6nsg. latencia 2.5 DDR PC3200 tiempo de respuesta 5nsg. latencia 2.5 hasta 4
         1. DDR 184 terminales, capacidad 128 MB, 256 MB, 512 MB y 1 GB
      2. DDR-2 PC5300 tiempo de respiuesta 6 nseg. DDR-2 PC6400 tiempo de respuesta 5 nseg
         1. DDR-2 240 terminales capaciadad 256 MB, 512 MB, 1 GB, 2 GB, y 4 GigaBytes (GB)
      3. DDR3 PC3-8500 latencia 6 hasta 8. DDR3 PC3-10666 latencia 7 hasta 10 DDR3 PC3-12800 latencia 8 hasta 11 DDR3 PC3-14900 latencia 11 hasta 13 DDR3 PC3-16000 latencia 9
         1. DDR-3 240 terminales en un sólo módulo , capacidad 1 GB, 2 GB, 4 GB, 8 GB
      4. DDR4 Utiliza la tecnología de 30 nanómetros para su fabricación.
         1. Tiene un voltaje de alimentación de 1.2-1.35 Volts, menor a las anteriores versiones DDR., Incompatible con DDR3
         2. DDR4 PC4-14900E latencia 12-15
         3. DDR-4 288 terminales en un sólo módulo capaciadad 2 GB, 4 GB, 8 GB y 16 GB

1. Se puede almacenar en ella en una sola oportunidad.
2. Requiere un dispositivo especial para modificar los datos llamado programamador de memorias.

1. Este tipo de chips se puede borrar empleando luz ultravioleta.
2. Soportan el almacenamiento sin corrupción de los datos por diezo veinte años.
3. Se caracterizan por poseer una ventana en la parte superior para el borrado(BIOS).

1. Se puede programar y borrar eléctricamente.
2. Se puede escribir un numero limitado de veces
3. La memoria flash es una forma avanzada de EEPROM creada por el Dr. Fujio Masuoka mientras trabajaba para Toshiba en 1984
4. MEMORIA FLASH: evolución de EEPROM
   1. Lectura y escritura de múltiples posiciones al mismo tiempo.
   2. Aumenta la velocidad.
   3. La emplean las conocidas memorias USB.

Anexos:

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1. Caché interna: la más cercana a la CPU
2. Tamaño pequeño (8KB-128KB) y máxima velocidad

1. Caché externa: entre L1 y L3 (o entre L1 y M. Principal)
2. Tamaño mediano (256KB – 4MB) y menor velocidad que L1.

1. Último nivel antes de M. Principal
2. Tamaño mayor y menor velocidad que L2

1. Depende del tamaño del bus

1. Se utilizan bloques que son agrupaciones de palabras

1. Menor localización que puede ser direccionada
2. Palabra

1. Secuencial
   1. Inicia en el comienzo de la memoria y va leyendo posición por posición
   2. El tiempo de acceso depende de la localización
   3. Ejemplo: Un caset
2. Directo
   1. Los bloques individuales tienen una única dirección
   2. Acceso es un salto con respecto al acceso secuencial
   3. El tiempo de acceso depende de la posición anterior
   4. Ejemplo: Un disco
3. Aleatorio
   1. Las direcciones individuales identifican direcciones exactamente
   2. El tiempo de acceso es independiente de la localización anterior o sucesos anteriores
   3. Ejemplo: RAM
4. Asociativo
   1. Los datos están localizados por comparación con el contenido de una porción de los datos
   2. El tiempo de acceso es independiente de accesos previos
   3. Ejemplo cache

1. Ubicación de la caché
   1. Entre el procesador y la unidad administradora de memoria (MMU)
   2. Entre la MMU y la memoria principal
2. La cache lógica (Cache virtual) almacena la información utilizando direcciones virtuales
   1. Procesador accede la cache directamente, pero no la cache física
   2. La cache se accede muy rápido
   3. Las direcciones virtuales usan el mismo espacio para aplicaciones diferentes
3. La caché fisica almacena información utilizando direcciones de memoria principal