Diodos de potencia

1. Constituido por una estructura de tipo P-N que dentro de sus limites de tensión y corriente, permite la circulación de corriente en un solo sentido.

Anotações:

• asnsnannsan

1. Disponen de un área mayor para permitir mayores corrientes y mayor longitud para soportar ténciones inversas mas elevadas.

1. Tensión de ruptura máxima antes de la perforación de los diodos de potencia
   1. Se denomina diodo non-punch-through
2. Tensión de ruptura del diodo de perforacion
   1. Punch-through
   2. a)diodo de polarización inversa donde la zona de degradación se extiende por completo a través de la región de deriva. b)perfil del campo eléctrico de la condición de perforación en un diodo de polarización inversa

1. La difusión lateral de impurezas da pie a una curvatura del limite de la unión pn y por tanto a la zona de degradación.
2. uso de placas de campo en un diodo de unión pn para controlar la curvatura del límite de la zona de degradación a fin de evitar que se reduzcan las tensiones de ruptura.

1. Modulación de conductividad
   1. casi toda la potencia disipada de un diodo ocurre cuando esta en estado activo.
   2. Intersección de la zona de degradación con una superficie de semiconductor
   3. Distribuciones de portadores en una estructura de un diodo de potencia de polarización directa con una región de arrastre un poco dopada.
2. si la longitud de difusión L
3. impacto sobre pérdidas de estado activo

1. Formas de onda de commutacion
2. Transitorio de encendido
3. Transitorio de apagado
4. Recuperación inversa

1. tiene menores perdidas en estado activo que los diodos de union pn, pero tambien tienen bajas tenciones especificadas de ruptura,que casi nunca pasan de 100V.