IMPERFECCIÓNES EN LOS ARREGLOS ATOMICOS Y IÓNICOS.

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• IMPERFECCIÓNES  EN  LOS  ARREGLOS  ATÓMICOS  Y  ÓRGANICOS.

• Primera imperfeción consta de.

• Segunda imperfección.

• Defectos puntuales.

• Son.

• Imperfecciónes como las vacancias.

• Que normalmente están en.

• Un sitio en algunos casos, en muy pocos sitios

• También llamadas

• Ubicados en

• Un cristal

• Alteraciónes

• Donde en ella

• Afecta una región

• Donde

• Intervienen varios átomos o iones

• Dividido en

• Caso normal, impurezas

• Elementos o compuestos dopantes

• Son

• Son

• Elementos o compuestos que llegan a un material

• Elementos o compuestos que se agregan intencionalmente

• Originados frecuentemente en

• El procesamiento o en las materias primas

• Teniendo un efecto

• Perjudicial sobre la propiedad o el procesamiento de un mterial

• Por ejemplo

• Los cristales de silicio

• Que crecen en

• Crisoles de cuarzo

• Los cuales contienen

• Oxigeno como impurezas

• Concentraciones conocidas

• En

• Las cuales aparecen en

• Lugares específicos, dentro de la microestructura

• Esto para

• Mejorar las propiedades u el procesamiento de un material

• Ejemplo

• El fósforo, el boro

• Esto para

• Mejorar las propiedades eléctricas del Silicio

• Ambos implican

• Defectos extendidos

• Son

• Defectos en los que toma parte (átomos iónes)

• Y que por consiguiente

• Se presentan en volumen finito del material cristalino

• Partiendo a

• Una vacancia

• Que es

• Un átomo o ión que falta en un sitio cristalografico noormal

• Que se introducen en

• Los metales y aleaciones durante la solidificación

• Vacancias de ceramicos

• Se presentan en fabricación de capacitores

• Llamado

• Sinterizado

• Que es

• Un proceso de deformación de una masa densa

• Mediante

• El calentamiento de polvos compactos

• Conduciendonos a

• Defectos intersticiales

• Que son

• Defectos sustituciónales

• Defectos puntuales

• Se introduce a

• Defecto puntual que se produce cuando un átomo entra al cristal

• En un punto que

• No es un punto de red

• Dentro de ellos los

• Semiconductores intrincecos

• Que son

• Semiconductores extrincecos

• Que son

• Semiconductores que contienen dopantes e impurezas

• Semiconductores que contienen dopantes

• Que se producen

• Al quitar un átomo de un punto de red normal y sustituido por un átomo diferente

• A través de estos se da la

• Semiconductividad tipo n

• Que es un 

• Semiconductor dopado

• Con elementos que

• Donan o ceden electrones

• Semiconductor tipo P

• Que es un

• Semiconductor dopado

• Con elementos que

• Aceptan electrones

• Ejemplo

• Si es dopado con B

• Otros defectos puntuales son

• Intersticialidad

• Defectos de Frenkel

• Defectos de Scottky

• Que es un

• Son

• es un

• Defecto puntual

• causado cuando

• Un átomo normal ocupa un sitio intersticial en el cristal

• Por defectos puntuales

• producidos cuando

• Se mueve cuando un ion para crear un sitio intersticial y deja otras unas vacancias

• Defecto puntual en matríales con enlazamiento iónico

• para mantener una

• Carga neutral

• la cual forma

• la cantidad estequiometrica de vacaqncia de cation y anion

• para su calculo estos son

• Notacion de Kroger-Vink

• Dislocaciones

• son

• Imperfecciones lineales en un material cristalino

• divisiones en ejemplificaciones

• Dicho proceso se relaciona con

• disloacaciónes de tornillo

• Dislocaciones de borde o arista

• Dislocacion mixta

• es una

• es una

• es una

• Dislocación producida torciendo un cristal

• Un plano atómico produce una rampa en espiral en torno a la dislocación

• De tal modo que

• En vector de Burgers B

• Es la

• Dirección o distancia en que se mueve una dislocación en cada etapa

• También llamado

• Vector de deslizamiento

• Dislocación que se introduce en el cristal

• Agregando

• Un semi-plano adicional de átomos

• Dislocación que contiene en parte componentes de borde y en partes componentes de tornillo

• Relacionado con  el proceso de 

• Deslizamiento

• Que es una

• Deformación de material metálico

• Causado por

• El movimiento de dislocaciones en cristal

• Llevandonos a una

• Dirección de deslizamiento

• Que es una

• Dirección en la que se mueve la dislocación

• La cual

• Es igual la dirección del vector de Burgers

• Formando un plano llamado 

• Plano de deslizamiento

• Que es un

• Plano recorrido por la linea de dislocación durante el deslizamiento

• Normalmente este es un

• Plano de deslizamiento u empaquetamiento compacto

• La combinación y el plano dan resultado a un

• Sistema de deslizamiento

• Que es una

• Combinación de plano deslizamiento y de la dirección de deslisamiento

• Durante el deslizamiento se da

• Un esfuerzo requerido

• Llamado

• Esfuerzo de Pierls-Nabarro

• Importancia de las dislocaciones

• son

• La deformación plastíca

•   es una    

• Deformación o cambio de forma irreversible

• presente cuando

• Se retira la fuerza o el esfuerzo que causo.

• la deformación elastica 

• es una 

• Deformacion que desaparece solamente cuando se elimina el esfuerzo que la produce

• presentes en materiales como

• La densidad de dislocaciones

• Que es

• La longitud total de las lineas de dislocación

• Medido en

• Cm3 en los materiales

• Relacionado con el comportamiento de todo el material

• Ley de Schmid

• Que es una

• Relación entre el esfuerzo cortante el esfuerzo aplicado y la orientación del sistema de deslizamiento

• Para romper suficiente cantidad de enlaces metálicos

• Es el esfuerzo cortante critico resuelto

• Que es

• Un esfuerzo cortante para que una dislocación se mueva y causar deslizamiento

• Dando como resultado

• El deslizamiento crusado

• Que es

• Cambio en los sistemas de una dislocación

• Sus defectos son

• Imperfecciónes

• Como

• Limites de grano

• Que es un

• Defecto de la superfice

• Que lo representan

• El limite entre dos granos

• Que forman

• Nube un plano bidimensional dentro

• Formando un

• Grano

• Que es

• Uno de los cristales presentes en un material policristalino

• Nos conllevo a

• La ecuación de Hallpetch

• Que es la relación

• Entre la resistencia de cadencia y el tamaño de un grano en un material metálico

• Relacionado con las propiedades microestructurales llamado

• Metalografía

• Es un

• Tipo de preparación de material metálico muestral

• Mediante

• Un polímero

• Para observar los limites de grano existe una técnica llamada

• Ataque térmica

• Que es

• Una técnica para observar microestructuras

• Para especifícar el tamaño de grano existe

• Número de tamaño de grano ASTM

• Midiendo el material cristalino

• Grano por pulgada cuadrada por 100

• Describiendo microestructuras

• Del análisis de imagen

• Es una

• Técnica cuantitativa acerca del tamaño forma de granos

• Como conjunto de dislocaciónes

• Limite de grano de angulo pequeño

• Es un

• Conjunto de dislocaciones causado por una pequeña desorientación en el cristal

• En conjunto con las

• Limitantes inclinados

• Es

• Limite de angulo de grano pequeño formado por dislocaciones de borde

• También presentes las

• Fallas de apilamiento

• Es un

• Defecto en la superficie en metales FFC

• Causado por

• Una secuencia incorrecta

• De

• Apilamiento de empaquetamiento compacto

• Ocurriendo orientaciones llamadas

• Limite de Macla

• Es

• Una mala desorientación especular de la estructura cristalina que se mueven y causan deformaciones 

• En la cual están desarrollando una polarización conocida como

• Limites de dominio

• Dentro de este

• Materiales ferro eléctricos

• Que es un

• Material dieléctrico con polarización espontanea irreversible

• De la misma familia de los

• Ferromagnéticos

• Que son

• Los que causan una magnetización espontanea irreversible