e durante su funcionamiento la señal de entrada crea un campo
eléctrico que controla el paso de la corrienLos transistores de
efecto de campo o fet se denominan así porqute a través del
dispositivo.
J FET
El JFET, transistor de efecto de campo o transistor unipolar, fue inventado en
1948, al mismo tiempo que el transistor normal o bipolar, pero no fue posible su
implantación hasta 1970 debido a la alta tecnología necesaria para formar sus
uniones.
Los JFET los podemos clasificar en dos grandes grupos:
JFET de canal n
Este componente está formado por una delgada capa de material semiconductor
tipo N denominado canal. A los lados de ésta aparecen dos regiones de material
semiconductor tipo P. En cada uno de los extremos del canal se sitúa un terminal.
Así, tenemos un terminal de fuente o surtidor y otro de sumidero o drenado d. Las
dos regiones P se interconectan entre sí, y hacia el exterior, constituyendo el
terminal de puerta o graduador.
Curvas características de drenador de un JFET
En las siguientes figuras, se muestra un ejemplo de la familia de curvas
características de surtidor común de un transistor JFET de canal N y el circuito
correspondiente con el que se han obtenido dichas curvas
Este tipo se obtiene a partir de la estructura de la resistencia MOS,
añadiendo una conexión metálica al emisor, que la resistencia no
necesitaba para a su construcción. Este contacto conductor constituye
el terminal de puerta mientras que los otros dos terminales actúan de
fuente y drenador
MOSFET
Los MOSFET, o simplemente MOS (Metal-Oxide Semiconductor, Field
Effect Transistor) son muy parecidos a los JFET. La diferencia entre estos
estriba en que, en los MOS, la puerta está aislada del canal,
consiguiéndose de esta forma que la corriente de dicho terminal sea
muy pequeña, prácticamente despreciable. Debido a este hecho, la
resistencia de entrada de este tipo de transistores es elevadísima, del
orden de 10.000 MW , lo que les convierte en componentes ideales para
amplificar señales muy débiles.
Existen dos tipos de MOSFET en función de su
estructura interna:
MOSFET de empobrecimiento
MOSFET de empobrecimiento, también Denominado MOSFET dedeplexión.
Se compone de una pieza de material Tipo n con una zona p a la derecha y
una puerta aislada a la izquierda. La Zona p se denomina substrato (o
cuerpo). Los electrones que circulan desde. La fuente hacia el drenador
deben pasar a través del estrecho canal entre la.Puerta y la zona p
Curvas características
MOSFET de enriquecimiento
Este tipo de MOSFET está diseñado de tal manera que sólo adminte la forma de trabajo en modo de
enriquecimiento. La aplicación fundamental de este transistor se realiza en circuitos digitales,
microprocesadores, etc.
FORMULAS
ID = k(VGS-VT)2 ........ ID =
k(VGS-VT)2...... VDS ≥ VGS - VT.......
VDS(on) = ID(on) x RDS(on)
CARACTERISTICAS TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO ( JFET Y
MOSTFET)
Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100MΩ). No tiene un voltaje de unión
cuando se utiliza como conmutador (interruptor). Hasta cierto punto es inmune a la radiación. Es menos
ruidoso. Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica.
SIFERENCIAS DE LOS TRANSISTORES ( JFET Y MOSFET )
JFET La polarización de un JFET (Junction Field-Effect Transistor) exige que las uniones PN estén
inversamente polarizadas, para un JFET de canal N, el voltaje de drenado debe ser mayor que el voltaje de la
fuente para que exista un flujo de corriente a través del canal, además el voltaje de compuerta debe ser más
negativo que el de la fuente paraqué la unión PN se encuentre polarizada inversamente. Las curvas del JFET
SON muy parecidas a las de los transistores bipolares, con la diferencia que los JFET SON controlados por
tensión, mientras que los bipolares por corriente. MOSFET Los transistores .......... MOSFET son dispositivos de
efecto de campo al igual que los JFET utilizan un campo eléctrico para crear un canal de conducción. Son
dispositivos más importantes que los JFET ya que la mayor parte de circuitos integrados digitales se
construyen con tecnologías MOS.