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Description
Mind Map by Andres Arias, updated more than 1 year ago
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Created by Andres Arias
over 7 years ago
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Transistores
Bipolares de
Compuerta Aislada
(IGBT)
- El IGBT tiene una AOS rectangular para aplicaciones
de modo conmutadp, parecida a la del MOSFET
- El IGBT esta diseñado paraoperar como
MOSFET
- Con una zona inyectora en su lado de
drenaje para proporcionar modulacion
por la conductividad de la region de
arrastre con el fin de reducir perdidas de
linea
- Las perdidas del IGBT en estado
activo son mucho menores que las
de un MOSFET y son comparables
con las de un BJT
- Es mas rapido que un BJT
comparable pero mas lento que
un MOSFET
- Las perdidas del IGBT en estado
activo son mucho menores que las
de un MOSFET y son comparables
con las de un BJT
- Con una zona inyectora en su lado de
drenaje para proporcionar modulacion
por la conductividad de la region de
arrastre con el fin de reducir perdidas de
linea
- La estructura del IGBT incluye un
tiristor parasitico cuyo encendido no
se debe permitir, pues la compuerta
perderia la capacidad de apagar el
dispositivo
- Estructura
- Dispositivo de 4 capas pnnp
- Nivel de dopaje parecido al
MOSFET, drenaje poco dopada
y compuerta fuente muy
interdigitada
- Posee un tiristor
parasito
- Se cortocircuita
Cuerpo-Fuente para que
este no se encienda
- Dispositivo de 4 capas pnnp
- LATCHUP
- Cuando V es mucho mayor inyecta
electrones de fuente hasta la zona
del cuerpo
- El transistor parasito se enciende npn
y el pnp
- Lo que causa el enclavamiento
- Pierde el control de la corriente de
drenaje
- Pierde el control de la corriente de
drenaje
- Lo que causa el enclavamiento
- El transistor parasito se enciende npn
y el pnp
- Si el LATCHUP no se termina rapido el IGNT se
destruye por la excesiva disipacion de potencia
- Cuando V es mucho mayor inyecta
electrones de fuente hasta la zona
del cuerpo
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