1400204
Description
Mind Map by Lupita Ruiz5463, updated more than 1 year ago
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Created by Lupita Ruiz5463
over 10 years ago
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Unidad 2: ROM
(Read Only Memory)
- Diagrama de bloques
- La capacidad de esta ROM es de 16 palabras, ya que tiene 16 direcciones posibles y cada palabra
tiene 8 bits ya que hay ocho salidas de datos es decir almacena 16 bytes y esta tiene:
- Entradas de dirección
- Entrada(s) de control
- Entrada de habilitación (habilita o no las salidas de la ROM)
- Entrada de habilitación (habilita o no las salidas de la ROM)
- Salidas de datos
- Entradas de dirección
- La capacidad de esta ROM es de 16 palabras, ya que tiene 16 direcciones posibles y cada palabra
tiene 8 bits ya que hay ocho salidas de datos es decir almacena 16 bytes y esta tiene:
- ¿Como funcionan?
- Se deben de introducir los datos mediante la programación
- Estas se utilizan para almacenar datos e información que
no va a cambiar durante la operación normal de un
sistema
- Su principal uso es en el sistema operativo de las
microcomputadoras
- Se deben de introducir los datos mediante la programación
- Operación de Lectura
- Los datos se almacenan en binario dentro de la ROM pero muy a menudo utilizamos notación hexadécimal
para mostrar los datos con eficiencia. Se almacenan 16 palabras de datos disintos en las 16 ubicaciones de
dirección y para poder seleccionar uno se debe de meter las entradas de dirección apropiadas mediante el
código binario en el bus de dirección tomando en cuenta primero la columna y luego la fila y después activar las
entradas de control.
- Arquitetura para una memoria ROM 16x8
- Arreglo de registros
- Decodificadores de dirección
- Búferes de salida
- Arreglo de registros
- Arquitetura para una memoria ROM 16x8
- Los datos se almacenan en binario dentro de la ROM pero muy a menudo utilizamos notación hexadécimal
para mostrar los datos con eficiencia. Se almacenan 16 palabras de datos disintos en las 16 ubicaciones de
dirección y para poder seleccionar uno se debe de meter las entradas de dirección apropiadas mediante el
código binario en el bus de dirección tomando en cuenta primero la columna y luego la fila y después activar las
entradas de control.
- ¿Que es?
- MEMORIA DE SOLO LECTURA: La memoria fue diseñada para
retener datos que sean
permanentes o que no cambien con
frecuencia
- MEMORIA DE SOLO LECTURA: La memoria fue diseñada para
retener datos que sean
permanentes o que no cambien con
frecuencia
- Programación
- En esta imagen se ve un claro ejemplo del como se programa una memoria ROM en el cual en la dirección
todo esto mediante el código binario se mete la ubicación de en que registro quieres que vaya guardada la
información que deseas y en los datos se mete lo que seria el dato que quieres que se guarde y luego en la
siguiente para una mayor facilidad de la lectura el código binario que es como se programo la memoria ROM
se convierte a hexadécimal y asi es mas fácil su lectura.
- En esta imagen se ve un claro ejemplo del como se programa una memoria ROM en el cual en la dirección
todo esto mediante el código binario se mete la ubicación de en que registro quieres que vaya guardada la
información que deseas y en los datos se mete lo que seria el dato que quieres que se guarde y luego en la
siguiente para una mayor facilidad de la lectura el código binario que es como se programo la memoria ROM
se convierte a hexadécimal y asi es mas fácil su lectura.
- Tipos de memoria ROM
- MROM
- La ROM programada por máscara almacena info. al momento en que se fabrica el CI. La info. se almacena ya sea
mediante la conexión o la desonexión de la fuente de un transistor con la columna de salida el último paso en el proceso
de fabricación es formar de todas estas rutas conductoras o conexiones. El proceso utiliza "mascara" para depositar
metales en el silicio, los cuales determinan en donde se forman la conexiones.
- La ROM programada por máscara almacena info. al momento en que se fabrica el CI. La info. se almacena ya sea
mediante la conexión o la desonexión de la fuente de un transistor con la columna de salida el último paso en el proceso
de fabricación es formar de todas estas rutas conductoras o conexiones. El proceso utiliza "mascara" para depositar
metales en el silicio, los cuales determinan en donde se forman la conexiones.
- PROM
- Para aplicaciones de menor volumen estas utilizan enlaces de fusible, las cuales
son programables por el usuario según sus necesidades, sin embargo si algo sale
mal no puede corregirse esta se debe deshechar
- Para aplicaciones de menor volumen estas utilizan enlaces de fusible, las cuales
son programables por el usuario según sus necesidades, sin embargo si algo sale
mal no puede corregirse esta se debe deshechar
- EPROM
- Puede programarse por el usuario y también puede borrarse pero con luz UV y reprogramarse casi todas las veces que se requiera, no es
volátil y alamcenará los datos de forma indefinida. El elemento de almacenamiento es un transistor MOS con una compuerta
de silicio que no tiene conexión eléctrica pero si esta cerca del electrodo.
- Puede programarse por el usuario y también puede borrarse pero con luz UV y reprogramarse casi todas las veces que se requiera, no es
volátil y alamcenará los datos de forma indefinida. El elemento de almacenamiento es un transistor MOS con una compuerta
de silicio que no tiene conexión eléctrica pero si esta cerca del electrodo.
- EEPROM
- Programable y borrable eléctricamente esta sigue teniendo la misma estructura flotante de compuerta que la EPROM pero
agrega una región de óxido muy delgada por encima del colector de la celda de memoria de MOSFET.
- Programable y borrable eléctricamente esta sigue teniendo la misma estructura flotante de compuerta que la EPROM pero
agrega una región de óxido muy delgada por encima del colector de la celda de memoria de MOSFET.
- MROM
- ACOLTZI RUIZ GUADALUPE MONTSERRAT 5IM3
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