Los FET están hechos de de
las técnicas procesadas de los
Se basan en el campo eléctrico
Tipo de transistores de efecto campo
El canal de un FET es dopado para
producir tanto un semiconductor tipo N
o uno tipo P.
Son distinguidos por el método
de aislamiento entre el canal y la
puerta.
Podemos clasificar los transistores de efecto
campo según el método de aislamiento entre el
canal y la puerta.
El transistor de efecto de campo
metal-óxido-semiconductor o
MOSFET
Es un transistor utilizado para amplificar
o conmutar señales electrónicas.
Funcionamiento
Estructura
metal-óxido-semiconductor
Estructura Metal-óxido-semiconductor
construida con un sustrato de silicio tipo p
Debido a que el dióxido de silicio es un material
dieléctrico, esta estructura equivale a un
condensador plano.
Estructura MOSFET y
formación del canal
Se basa en controlar la concentración de portadores
de carga mediante un condensador MOS existente
entre los electrodos del sustrato y la compuerta.
La ocupación de las bandas de energía en un semiconductor
está determinada por la posición del nivel de Fermi con respecto
a los bordes de las bandas de energía del semiconducto
El JFET
Es un dispositivo electrónico, esto es, un circuito
que, según unos valores eléctricos de entrada,
reacciona dando unos valores de salida.
En el caso de los JFET, al ser transistores de
efecto de campo eléctrico, estos valores de
entrada son las tensiones eléctricas.
Están hechos usando las
técnicas de procesado de
semiconductores
Los transistores de efecto de campo
o FET más conocidos son los JFET
Tienen tres terminales
Denominadas puerta (gate)
Drenador (drain)
Fuente (source)
La mayoría de los FET están hechos
usando las técnicas de procesado de
semiconductores habituales, empleando
la oblea monocristalina semiconductora
como la región activa o canal.
Tienen tres terminales
Denominadas puerta (gate)
Drenador (drain)
Fuente (source)
Es en realidad una familia de transistores que
se basan en el campo eléctrico para controlar
la conductividad de un "canal" en un material
semiconductor.
Los FET pueden plantearse como
resistencias controladas por
diferencia de potencial.
Tipo de transistores de efecto campo
El canal de un FET es dopado para
producir tanto un semiconductor
tipo N o uno tipo P
Podemos clasificar los transistores de
efecto campo según el método de
aislamiento entre el canal y la puerta:
El transistor de efecto de campo
metal-óxido-semiconductor o
MOSFET
Es un transistor utilizado para amplificar
o conmutar señales electrónicas.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados
surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B)
Existen dos tipos de transistores MOSFET,
ambos basados en la estructura MOS
Estructura metal-óxido-semiconductor
Estructura Metal-óxido-semiconductor
construida con un sustrato de silicio tipo p.
Estructura MOSFET y formación del canal
Se basa en controlar la concentración de
portadores de carga mediante un
condensador MOS existente entre los
electrodos del sustrato y la compuerta.
El JFET
Es un dispositivo electrónico, esto es, un circuito que,
según unos valores eléctricos de entrada, reacciona dando
unos valores de salida.
Ecuaciones del transistor J-FET
Para |VGS| < |Vp| (zona activa), la curva de
valores límite de ID viene dada por la expresión:
Transistores HEMT
Los semiconductores se contaminan a
propósito con impurezas, se dopan
para permitir la movilidad de los
electrones a través de ellos.
Transistor IGBT
Es un dispositivo semiconductor
que generalmente se aplica como
interruptor controlado en circuitos
de electrónica de potencia.
Este dispositivo posee la
características de las señales de
puerta de los transistores de
efecto campo con la capacidad
de alta corriente y bajo voltaje
de saturación
Características
El IGBT es adecuado para velocidades de
conmutación de hasta 100 kHz y ha
sustituido al BJT en muchas aplicaciones.
control de la tracción en motores y cocina de inducción.
Tiene la capacidad de manejo de corriente de
un bipolar pero no requiere de la corriente de
base para mantenerse en conducción.
Transistor de ADN de efecto de campo
Es un transistor de efecto de campo (o FET) que utiliza
el efecto de campo generado por las cargas parciales de
las moléculas de ADN para actuar como un biosensor.
La estructura de los DNAFET es
similar a la de los MOSFET
Los DNAFET son altamente selectivos, ya que sólo
uniones específicas modulan el transporte de
carga.
Se pueden usar chips de DNAFET para detectar
polimorfismos de nucleótido simple
Thin-film transistor
Es un tipo especial de transistor de efecto campo
que se fabrica depositando finas películas de un
semiconductor
Una de las principales aplicaciones de los TFT
son las pantallas de cristal líquido.
Un sustrato muy común es el vidrio.
Fabricación
El más común es el silicio.
Las características del TFT basado en el
silicio depende de su estado cristalino.
Silicio microcristalino
El seleniuro de cadmio (CdSe)2 3
Óxidos de metal como el óxido de zinc.
o puede haber sido templado en un polisilicio.
Los TFT se pueden fabricar con una gran
variedad de materiales semiconductores.
usando como el indio-óxido de estaño
(ITO), los dispositivos TFT pueden hacerse
completamente transparentes.
Aplicaciones
Son las pantallas TFT LCDs, una implementación
de la tecnología de pantalla de cristal líquido.
Lo que reduce la diafonía entre píxeles y
mejorar la estabilidad de la imagen.
Desde 2008, muchos monitores y televisores LCD a
color utilizan esta tecnología.
Las pantallas TFT son muy utilizados en radiografía
digital y aplicaciones de radiografía general.
Un TFT se utiliza tanto en la captura directa e indirecta
como base para el receptor de imagen en radiología
médica.
Se puede concebir el IGBT como un transistor
Darlington híbrido.
Aplicaciones
Resistencia controlada por tensión.
Circuitos de conmutación de potencia
(HEXFET, FREDFET, etc).
Mezcladores de frecuencia, con
MOSFET de doble puerta.
Ventajas con respecto a transistores bipolares
Tamaño muy inferior al transistor bipolar
(actualmente del orden de media micra).
Los circuitos digitales realizados con MOSFET no necesitan
resistencias, con el ahorro de superficie que conlleva.
Gran capacidad de integración
debido a su reducido tamaño.