2015369
Description
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Created by anto_oj75xx
almost 10 years ago
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FET
- Se basan en el campo eléctrico
- Este controla la conductividad
- Los FET están hechos de de
las técnicas procesadas de los
- Los FET están hechos de de
las técnicas procesadas de los
- Este controla la conductividad
- Se basan en el campo eléctrico
- Tipo de transistores de efecto campo
- El canal de un FET es dopado para
producir tanto un semiconductor tipo N
o uno tipo P.
- Son distinguidos por el método
de aislamiento entre el canal y la
puerta.
- Podemos clasificar los transistores de efecto
campo según el método de aislamiento entre el
canal y la puerta.
- El transistor de efecto de campo
metal-óxido-semiconductor o
MOSFET
- Es un transistor utilizado para amplificar
o conmutar señales electrónicas.
- Funcionamiento
- Estructura
metal-óxido-semiconductor
- Estructura Metal-óxido-semiconductor
construida con un sustrato de silicio tipo p
- Debido a que el dióxido de silicio es un material
dieléctrico, esta estructura equivale a un
condensador plano.
- Estructura Metal-óxido-semiconductor
construida con un sustrato de silicio tipo p
- Estructura MOSFET y
formación del canal
- Se basa en controlar la concentración de portadores
de carga mediante un condensador MOS existente
entre los electrodos del sustrato y la compuerta.
- La ocupación de las bandas de energía en un semiconductor
está determinada por la posición del nivel de Fermi con respecto
a los bordes de las bandas de energía del semiconducto
- Se basa en controlar la concentración de portadores
de carga mediante un condensador MOS existente
entre los electrodos del sustrato y la compuerta.
- Estructura
metal-óxido-semiconductor
- Funcionamiento
- Es un transistor utilizado para amplificar
o conmutar señales electrónicas.
- El JFET
- Es un dispositivo electrónico, esto es, un circuito
que, según unos valores eléctricos de entrada,
reacciona dando unos valores de salida.
- En el caso de los JFET, al ser transistores de
efecto de campo eléctrico, estos valores de
entrada son las tensiones eléctricas.
- En el caso de los JFET, al ser transistores de
efecto de campo eléctrico, estos valores de
entrada son las tensiones eléctricas.
- Es un dispositivo electrónico, esto es, un circuito
que, según unos valores eléctricos de entrada,
reacciona dando unos valores de salida.
- El transistor de efecto de campo
metal-óxido-semiconductor o
MOSFET
- El canal de un FET es dopado para
producir tanto un semiconductor tipo N
o uno tipo P.
- Tipo de transistores de efecto campo
- Están hechos usando las
técnicas de procesado de
semiconductores
- Los transistores de efecto de campo
o FET más conocidos son los JFET
- Tienen tres terminales
- Denominadas puerta (gate)
- Drenador (drain)
- Fuente (source)
- Denominadas puerta (gate)
- Tienen tres terminales
- La mayoría de los FET están hechos
usando las técnicas de procesado de
semiconductores habituales, empleando
la oblea monocristalina semiconductora
como la región activa o canal.
- Tienen tres terminales
- Denominadas puerta (gate)
- Drenador (drain)
- Fuente (source)
- Denominadas puerta (gate)
- Es en realidad una familia de transistores que
se basan en el campo eléctrico para controlar
la conductividad de un "canal" en un material
semiconductor.
- Los FET pueden plantearse como
resistencias controladas por
diferencia de potencial.
- Tipo de transistores de efecto campo
- El canal de un FET es dopado para
producir tanto un semiconductor
tipo N o uno tipo P
- Podemos clasificar los transistores de
efecto campo según el método de
aislamiento entre el canal y la puerta:
- El transistor de efecto de campo
metal-óxido-semiconductor o
MOSFET
- Es un transistor utilizado para amplificar
o conmutar señales electrónicas.
- El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados
surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B)
- Existen dos tipos de transistores MOSFET,
ambos basados en la estructura MOS
- Estructura metal-óxido-semiconductor
- Estructura Metal-óxido-semiconductor
construida con un sustrato de silicio tipo p.
- Estructura Metal-óxido-semiconductor
construida con un sustrato de silicio tipo p.
- Estructura MOSFET y formación del canal
- Se basa en controlar la concentración de
portadores de carga mediante un
condensador MOS existente entre los
electrodos del sustrato y la compuerta.
- El JFET
- Es un dispositivo electrónico, esto es, un circuito que,
según unos valores eléctricos de entrada, reacciona dando
unos valores de salida.
- Ecuaciones del transistor J-FET
- Para |VGS| < |Vp| (zona activa), la curva de
valores límite de ID viene dada por la expresión:
- Transistores HEMT
- Los semiconductores se contaminan a
propósito con impurezas, se dopan
- para permitir la movilidad de los
electrones a través de ellos.
- para permitir la movilidad de los
electrones a través de ellos.
- Transistor IGBT
- Es un dispositivo semiconductor
que generalmente se aplica como
interruptor controlado en circuitos
de electrónica de potencia.
- Este dispositivo posee la
características de las señales de
puerta de los transistores de
efecto campo con la capacidad
de alta corriente y bajo voltaje
de saturación
- Características
- El IGBT es adecuado para velocidades de
conmutación de hasta 100 kHz y ha
sustituido al BJT en muchas aplicaciones.
- control de la tracción en motores y cocina de inducción.
- Tiene la capacidad de manejo de corriente de
un bipolar pero no requiere de la corriente de
base para mantenerse en conducción.
- Transistor de ADN de efecto de campo
- Es un transistor de efecto de campo (o FET) que utiliza
el efecto de campo generado por las cargas parciales de
las moléculas de ADN para actuar como un biosensor.
- La estructura de los DNAFET es
similar a la de los MOSFET
- Los DNAFET son altamente selectivos, ya que sólo
uniones específicas modulan el transporte de
carga.
- Los DNAFET son altamente selectivos, ya que sólo
uniones específicas modulan el transporte de
carga.
- Se pueden usar chips de DNAFET para detectar
polimorfismos de nucleótido simple
- Thin-film transistor
- Es un tipo especial de transistor de efecto campo
que se fabrica depositando finas películas de un
semiconductor
- Una de las principales aplicaciones de los TFT
son las pantallas de cristal líquido.
- Un sustrato muy común es el vidrio.
- Fabricación
- El más común es el silicio.
- Las características del TFT basado en el
silicio depende de su estado cristalino.
- Las características del TFT basado en el
silicio depende de su estado cristalino.
- Silicio microcristalino
- El seleniuro de cadmio (CdSe)2 3
- Óxidos de metal como el óxido de zinc.
- o puede haber sido templado en un polisilicio.
- El seleniuro de cadmio (CdSe)2 3
- Los TFT se pueden fabricar con una gran
variedad de materiales semiconductores.
- usando como el indio-óxido de estaño
(ITO), los dispositivos TFT pueden hacerse
completamente transparentes.
- usando como el indio-óxido de estaño
(ITO), los dispositivos TFT pueden hacerse
completamente transparentes.
- Aplicaciones
- Son las pantallas TFT LCDs, una implementación
de la tecnología de pantalla de cristal líquido.
- Lo que reduce la diafonía entre píxeles y
mejorar la estabilidad de la imagen.
- Desde 2008, muchos monitores y televisores LCD a
color utilizan esta tecnología.
- Las pantallas TFT son muy utilizados en radiografía
digital y aplicaciones de radiografía general.
- Un TFT se utiliza tanto en la captura directa e indirecta
como base para el receptor de imagen en radiología
médica.
- Lo que reduce la diafonía entre píxeles y
mejorar la estabilidad de la imagen.
- Son las pantallas TFT LCDs, una implementación
de la tecnología de pantalla de cristal líquido.
- El más común es el silicio.
- Fabricación
- Una de las principales aplicaciones de los TFT
son las pantallas de cristal líquido.
- Es un tipo especial de transistor de efecto campo
que se fabrica depositando finas películas de un
semiconductor
- Thin-film transistor
- La estructura de los DNAFET es
similar a la de los MOSFET
- Es un transistor de efecto de campo (o FET) que utiliza
el efecto de campo generado por las cargas parciales de
las moléculas de ADN para actuar como un biosensor.
- Transistor de ADN de efecto de campo
- Se puede concebir el IGBT como un transistor
Darlington híbrido.
- Tiene la capacidad de manejo de corriente de
un bipolar pero no requiere de la corriente de
base para mantenerse en conducción.
- control de la tracción en motores y cocina de inducción.
- El IGBT es adecuado para velocidades de
conmutación de hasta 100 kHz y ha
sustituido al BJT en muchas aplicaciones.
- Características
- Este dispositivo posee la
características de las señales de
puerta de los transistores de
efecto campo con la capacidad
de alta corriente y bajo voltaje
de saturación
- Es un dispositivo semiconductor
que generalmente se aplica como
interruptor controlado en circuitos
de electrónica de potencia.
- Los semiconductores se contaminan a
propósito con impurezas, se dopan
- Transistores HEMT
- Para |VGS| < |Vp| (zona activa), la curva de
valores límite de ID viene dada por la expresión:
- Ecuaciones del transistor J-FET
- Es un dispositivo electrónico, esto es, un circuito que,
según unos valores eléctricos de entrada, reacciona dando
unos valores de salida.
- Se basa en controlar la concentración de
portadores de carga mediante un
condensador MOS existente entre los
electrodos del sustrato y la compuerta.
- Aplicaciones
- Resistencia controlada por tensión.
- Circuitos de conmutación de potencia
(HEXFET, FREDFET, etc).
- Mezcladores de frecuencia, con
MOSFET de doble puerta.
- Resistencia controlada por tensión.
- Ventajas con respecto a transistores bipolares
- Tamaño muy inferior al transistor bipolar
(actualmente del orden de media micra).
- Los circuitos digitales realizados con MOSFET no necesitan
resistencias, con el ahorro de superficie que conlleva.
- Gran capacidad de integración
debido a su reducido tamaño.
- Tamaño muy inferior al transistor bipolar
(actualmente del orden de media micra).
- Estructura metal-óxido-semiconductor
- El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados
surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B)
- Es un transistor utilizado para amplificar
o conmutar señales electrónicas.
- El transistor de efecto de campo
metal-óxido-semiconductor o
MOSFET
- El canal de un FET es dopado para
producir tanto un semiconductor
tipo N o uno tipo P
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